NSC95-EPA-Z-033-002

IV.PECVD 產 物 模 擬 與 電 漿 火 炬 削 減4-6 PECVD 連 接 電 漿 火 炬 對 SF 6 轉 化 效 果 整 理由 圖 4-12 可 發 現 ,PECVD 系 統 對 於 SF 6 之 削 減 效 果 並 非 十 分 顯 著 ; 當 加 入 矽 晶片 於 PECVD, 進 行 蝕 刻 模 擬 , 由 FTIR 產 物 分 析 , 如 圖 4-13 所 示 , 可 發 現 解 離 出 的F 與 Si 晶 片 反 應 而 有 SiF 4 生 成 , 且 SF 6 的 殘 餘 量 較 未 添 加 入 Si 晶 片 少 , 但 整 體 轉 化效 果 仍 然 十 分 低 ; 最 後 將 PECVD 之 尾 氣 通 入 電 漿 火 炬 系 統 進 行 削 減 程 序 , 由 於 電 漿火 炬 系 統 中 加 入 O 2 幫 助 進 行 轉 化 , 因 此 產 物 包 括 SOF 2 、SO 2 F 以 及 SiF4 等 , 隨 著 提供 功 率 上 升 , 電 漿 火 炬 系 統 可 以 達 到 較 高 之 轉 化 效 果 , 圖 4-13 為 提 供 功 率 為 1800 瓦時 之 圖 譜 。1.5Absorbance1.2SF 60.90.60.3 SF 60.0500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 40001.5PECVD 200 W1.2SF 60.90.60.3 SF 60.0500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000Wavenumber (cm-1)( 圖 4-12) 電 漿 前 / 後 圖 譜 ( PECVD = 200 W, pressure = 350 mTorr )33