Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

BU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adach odchylaniaBU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adachodchylania (cz.1)Odpowiadaj¹c na proœby Czytelników rozpoczynamy publikacjê podstawowych danych technicznych wybranych tranzystorówz serii BU... stosowanych w uk³adach odchylania odbiorników telewizyjnych i monitorów. Obok danych technicznychzamieszczone zosta³y schematy oraz widoki obudów wraz z opisem wyprowadzeñ. Zamienniki opublikowanych tranzystorówznaleŸæ mo¿na w katalogu „Tranzystory - odpowiedniki” tom 2, wydanym przez nasze wydawnictwo.BU505, BU505DSymbol Parametr Warunki pomiaru min. typ. max. Jed.V CESM Napiêcie szczytowe C-E V BE =0V 1500 VV CE0 Napiêcie C-E przy otwartym obwodzie bazy 700 VV CEsat Napiêcie nasycenia C-E I C =2.0A, I B =0.9A 1.0 VI C Pr¹d kolektora (DC) 2.5 AI CM Szczytowy pr¹d kolektora 4.0 AI B Pr¹d bazy (DC) 2.0 AI BM Szczytowy pr¹d bazy 4.0 Ah FE Wzmocnienie pr¹dowe (DC) I C =0.1A, V CE =5V 6.0 13.0 30.0 -P tot Ca³kowita moc rozproszenia T hs