13.07.2015 Views

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

BU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adach odchylaniaBU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adachodchylania (cz.7)BU2722AFSymbol Parametr Warunki pomiaru Min. Typ. Maks. Jed.V CESM Napiêcie szczytowe C-E V BE =0V 1700 VV CE0 Napiêcie C-E przy otwartym obwodzie bazy 825 VV CEsat Napiêcie nasycenia C-E I C =4.5A, I B =1.0A 1.0 VI C Pr¹d kolektora (DC) 10.0 AI CM Szczytowy pr¹d kolektora 25.0 AI B Pr¹d bazy (DC) 10.0 AI BM Szczytowy pr¹d bazy 14.0 Ah FE Wzmocnienie pr¹dowe (DC) I C =4.5A, V CE =1V 4.5 7.0 10.0 -P tot Ca³kowita moc rozproszenia T hs

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!