Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

TOPSwitche-GX - opis funkcjonalny i typowe aplikacjeTOPSwitche–GX - opis funkcjonalny i typowe aplikacje (cz.3)Karol Œwierc4.9. Zdalne w³¹czenie/wy³¹czenie uk³adu przetwornicyz TOPSwitchem-GXIstnieje kilka sposobów wykonania tej funkcji. Zwi¹zanes¹ one z wykorzystaniem dodatkowych wyprowadzeñ uk³adu(L, X lub M). Rozwi¹zania uk³adowe przedstawiaj¹ uproszczonerysunki 11 i 12, a ich dzia³anie wyjaœniaj¹ charakterystykiwyprowadzeñ X i L na rysunku 10.Dzia³anie tak rozwi¹zanej funkcji ON/OFF opiera siê nawykorzystaniu jednego z trzech fragmentów charakterystyki:(A) brak pobierania pr¹du z wyprowadzenia X, (B) brak doprowadzeniapr¹du do wyprowadzenia L, (C) przekroczeniemaksymalnej wartoœci tego pr¹du. W przypadku (C) niejako„oszukuje” siê uk³ad, wprowadzaj¹c go w stan zabezpieczeniaovervoltage. W przypadku implementacji rozwi¹zania (B) wykorzystujesiê fakt, ¿e do wyprowadzenia L pod³¹czony jestkomparator o napiêciu progowym równym 1V. Implementacjarozwi¹zania (A) daje mo¿liwoœæ zachowania funkcji X jakokontroli wartoœci ograniczenia pr¹dowego zasilacza przez prostepod³¹czenie rezystora, który na rysunku 11a zaznaczonolini¹ przerywan¹. Realizuj¹c funkcjê remote ON/OFF na wyprowadzeniuL mo¿na równie¿ zachowaæ ograniczenie nadnapiêciowe,podnapiêciowe, line feed forward i redukcjê DC MAXi to „kosztem” jednego, dwóch rezystorów. Oczywiœcie zamiasttranzystora T1 na rysunkach 11 i 12, mo¿e to byæ fototranzystorlub stopieñ wyjœciowy transoptora. Cel takiego rozwi¹zaniajest te¿ oczywisty: TOPSwitch znajduje siê po stronie „gor¹cej”zasilacza, a wszelkie uk³ady zdalnego w³¹czenia/wy³¹czeniapraktycznie zawsze po stronie izolowanej.Wykorzystanie wyprowadzenia M (uk³ad w obudowie DIPlub SMD) daje oczywiste ograniczenia wynikaj¹ce z integracjifunkcji L i X na jednej nó¿ce. Uproszczone fragmenty schematówdla tego przypadku przedstawiono na rysunku 13.W zaprezentowanych rozwi¹zaniach funkcji „zdalne ON/OFF” nale¿y zwróciæ uwagê na jeden istotny szczegó³: uk³ady zrys. 11 to tzw. „aktywny ON”, uk³ady na rys. 12 i 13 to „aktywnyOFF”. Rozwi¹zanie pierwsze jest uwa¿ane za bezpieczniejsze.W czasie zdalnego wy³¹czenia uk³adu, napiêcie na wyprowadzeniucontrol „chodzi po” histerezie uk³adu komparatoraUV, a wiêc zmienia siê w przedziale 4.8÷5.8V. Implikuje topewne nieokreœlone opóŸnienie w³¹czenia od momentu uaktywnieniago do stanu „w³¹cz”. Dla typowej wartoœci pojemnoœcibypassu równej 47µF, opóŸnienie to jest nie d³u¿sze ni¿0.12s. Zdalne „budzenie” uk³adu nastêpuje zgodnie z normaln¹sekwencj¹ startow¹, a wiêc z „miêkkim” startem.Opisana w tym punkcie funkcja jest bezpoœrednio zwi¹zanaz uk³adem aplikacyjnym prezentowanym w p.5.5 (rys.19 w czwartejczêœci artyku³u). Prosta i tania mo¿liwoœæ realizacji takiegouk³adu jest bardzo wa¿na w panuj¹cej tendencji eliminacji me-Obszar „udostêpniania”kluczowania tranzystorawysokonapiêciowego(Funkcja aktywna)XpinMpinLpinIIIREM(N) UV OV(Funkcja nieaktywna)ILIMIT (Wartoœæ narzucona typem TOP-a)Kluczowanie MOSFET-a zostaniezablokowane odpowiednio wczeœniejjeœli zostan¹ przerwane warunkipoprawnej pracy pêtli regulacyjnejIWartoœæ ograniczeniapr¹dowegoDC MAX (78.5%)IMaksymalny wspó³czynnikwype³nienia kluczowania 5µA 30µA 8µA Obszar histerezyPoziomy napiêæna wyprowadzeniach L ,X, M1.3V-22µA-27µAOko³o 3VI-250 -200 -150 -100 -50 0 50 100 150 200 250 300 350 400 IXiL(Yobudowa Y), M ( obudowa P lub G)I-pr¹d (µA)Rys.10. Charakterystyki wyprowadzeñ L i X (lub M).20 SERWIS ELEKTRONIKI 7/2002