13.07.2015 Views

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

BU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adach odchylaniaDokoñczenie ze strony 31BU603Symbol Parametr Warunki pomiaru Min. Typ. Maks. Jed.V CESM Napiêcie szczytowe C-E V BE =0V 1350 VV CE0 Napiêcie C-E przy otwartym obwodzie bazy 550 VV CEsat Napiêcie nasycenia C-E I C =2.0A, I B =0.33A 2.0 VI C Pr¹d kolektora (DC) 5.0 AI CM Szczytowy pr¹d kolektora 8.0 AI B Pr¹d bazy (DC) 2.0 AI BM Szczytowy pr¹d bazy 4.0 Ah FE Wzmocnienie pr¹dowe (DC) I C =2.0A, V CE =2V 6.0 -P tot Ca³kowita moc rozproszenia T hs

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!