13.07.2015 Views

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

Bez tytu³u-4 - Serwis Elektroniki

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

BU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adach odchylaniaBU... - wysokonapiêciowe tranzystory w uk³adachodchylania (cz.6)BU2525DWSymbol Parametr Warunki pomiaru Min. Typ. Maks. Jed.V CESM Napiêcie szczytowe C-E V BE =0V 1500 VV CE0 Napiêcie C-E przy otwartym obwodzie bazy 800 VV CEsat Napiêcie nasycenia C-E I C =8.0A, I B =1.6A 5.0 VI C Pr¹d kolektora (DC) 12.0 AI CM Szczytowy pr¹d kolektora 30.0 AI B Pr¹d bazy (DC) 8.0 AI BM Szczytowy pr¹d bazy 12.0 Ah FE Wzmocnienie pr¹dowe (DC) I C =8.0A, V CE =5V 5.0 7.0 9.5 -P tot Ca³kowita moc rozproszenia T hs

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!