轻松实现高速串行I/O
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轻松实现高速串行 I/O •<br />
如果参考层是不同的(一个是地层,另一个是电源层),则需要在离过孔尽可能近的地<br />
方放置 0.01μF 的电容来连接两个参考层。如图 4-23 所示。<br />
图 4-23 :参考层不同时的过孔<br />
过孔的另一个问题是过孔意味着短截线。显然,我们知道在传输线中引入短截线并不是个好<br />
主意(如图 4-24 所示)。<br />
图 4-24 :传输线<br />
如果一个过孔将信号从内部发送到顶层,或者将信号发送到底层,则过孔中未使用的部<br />
分将会成为短截线。避免短截线问题的一种技术称作后钻孔技术,完成金属镀层之后,未使<br />
用的过孔部分通过钻孔除去(如图 4-25 中所示,其钻孔位处在过孔的低端)。<br />
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• Xilinx<br />
图 4-25 :后钻孔过程