Dokument 1.pdf - RWTH Aachen University

3 Anwendungen
1 0 0
7 5
S tro m 3
-S tro m 1
5 0
S tro m 3 (n A )
2 5
0
-2 5
-5 0
-7 5
-1 0 0
-1 ,0 -0 ,8 -0 ,6 -0 ,4 -0 ,2 0 ,0 0 ,2 0 ,4 0 ,6 0 ,8
S p a n n u n g 3 (V )
Abbildung 3.24: Die Strom-Spannungs-Kennlinien über den Nanodraht zwischen
den zwei RTM-Einheiten 1 und 3. Die Probe während der Messung
war von der Erde getrennt.
des durchgeführt. Der Wert des spezifischen Widerstands des Yttrium-Silizides von
113 µΩ·cm bei einer Schichtdicke von 8,5 nm wurde aus der Veröffentlichung [Siegal
u. a. (1989)] genommen. Die räumlichen Abmessungen des Nanodrahtes wurden aus
der RTM-Topographie bestimmt. Die angenommenen Abmessungen des Nanodrahtes:
Länge l beträgt 1,55 µm, Breite b beträgt 16 nm und Höhe h beträgt 3,5 nm.
Der ausgerechnete Widerstand des Nanodrahtes:
R = ρ · l
b · h = 113 µΩ · cm × 1, 55 · 10−6 m
16 · 10 −9 m × 3, 5 · 10 −9 m
≈ 31, 3 kΩ (3.2)
Die großen Widerstandswerte von 1318 und 917 MΩ lassen sich durch eine isolierende
Schottky-Barriere zwischen dem Nanodraht und einen Substrat erklären.
Die kleineren Widerstandswerte von 293 und 296 MΩ erklären, dass zwischen den
Tunnelspitzen aus Wolfram und dem Yttrium-Silizid-Nanodraht eine relativ hohe
Summe der Kontaktwiderstände vorliegt. Die abgeschätzte Summe der Kontaktwi-
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