Dokument 1.pdf - RWTH Aachen University
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3.2 Transportmessungen an Y/Si(110)-Nanodrähten<br />
S p itz e n s tro m (m A )<br />
2 ,0<br />
1 ,5<br />
1 ,0<br />
0 ,5<br />
0 ,0<br />
-0 ,5<br />
-1 ,0<br />
I 3<br />
I 1<br />
I 2<br />
I 4<br />
-1 ,5<br />
-2 ,0<br />
0 2 4 6 8 1 0 1 2 1 4 1 6 1 8<br />
Z e it (s )<br />
(a)<br />
6 0<br />
4 0<br />
2 0<br />
I E rd e<br />
(µA )<br />
0<br />
-2 0<br />
-4 0<br />
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-1 0 0<br />
0 2 4 6 8 1 0 1 2 1 4 1 6 1 8<br />
Z e it (s )<br />
(b)<br />
Abbildung 3.30: Während der Widerstandsmessung aufgenommene Stromwerte (a)<br />
der vier Tunnelspitzen und (b) den Stromverstärker an die Probenerde.<br />
Die Messwerte des Nanodrahts basierend auf nur zwei Kontakten<br />
zu den äußeren Tunnelspitzen 1 und 3 sind mit den Pfeilen<br />
gezeigt.<br />
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