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3.2 Transportmessungen an Y/Si(110)-Nanodrähten
Tunnelspitzen bekommt man somit vier eigene Spannungswerte.
Spitze 3
4,999 V
Si
80
60
Spitze 2
Spitze 4
40
Spitze 2
4,736 V
I=0,2 mA
Spitze 4
Spitzenstrom (A)
20
0
-20
YSi
4,570 V
-40
-60
U=166 mV
Spitze 1
1,018 V
-80
4,5 4,570 4,6 4,7 4,736 4,8
Spitzenspannung (V)
Abbildung 3.32: Spannungswerte der vier Tunnelspitzen (links) und Spannungsabhängigkeit
der Ströme der zwei inneren Tunnelspitzen 2 und 4
(rechts) aufgetragen. Aus den Nulldurchgängen der Stromkurven
bestimmt man die lokalen Potentiale an den Kontaktierungsstellen
der inneren Tunnelspitzen.
Beim Ziehen der Spannungsrampen an den inneren Tunnelspitzen entstehen kapazitive
Ströme, welche einen Zusatzbeitrag zu dem reinen Stromwert in den aufgenommenen
Messdaten ergeben. Um die aufgenommenen Messdaten von diesen
Zusatzbeitrag zu bereinigen, verwendet man eine Methode der Kompensation, die
in dem Abschnitt 3.1.2 schon erwähnt wurde. Die verschiedenen Stromkurven der
gleichen Tunnelspitzen, welche in der Abbildung 3.32 geplottet sind, haben die Nulldurchgänge
die leicht unterschiedlich sind. Dies geschieht, da die Stromkurven auf
leicht unterschiedlicher Höhe liegen wegen des kleines Stromoffsets, welcher auf die
kapazitiven Ströme zurückzuführen ist. Durch die kapazitiven Ströme unterscheiden
sich die Nulldurchgangspunkte nur leicht. Der Unterschied zwischen den Nulldurchgangspunkten
der Stromkurven, die paarweise mit positiven und negativen Spannungsrampen
aufgenommen wurden, liegt zwischen den 6 und 12 mV. Durch die
Mittelung der Nulldurchgangspunkte wurde der kapazitive Beitrag kompensiert.
Diese durch die Mittelung ausgerechneten Spannungswerte von 4,736 und 4,570
Volt der lokalen Potentiale des Nanodrahts an den Kontaktstellen der Tunnelspitzen
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