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Dokument 1.pdf - RWTH Aachen University

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3 Anwendungen<br />

3.1 Fähigkeiten der Kombinationsapparatur<br />

3.1.1 Auflösung und thermische Drift des 4-Spitzen-RTM<br />

Die Güte eines RTM kann nach diversen Kriterien beurteilt werden. Zum einem<br />

gehört dazu die erreichbare Auflösung, zum anderem gehört dazu die thermische<br />

Drift in der x-, y- und z-Richtung.<br />

Das hier aufgebaute 4-Spitzen-RTM erreicht dabei mit jeder seiner RTM-Einheiten<br />

atomare Auflösung. Die zweite Stufe des Schwingungsentkopplungssystems ist in einem<br />

RTM-Modus zu belassen, um die beste Entkopplung von den Gebäudeschwingungen<br />

zu erzielen. Als Beispiel einer erreichbaren atomaren Auflösung dient eine<br />

Abbildung der HOPG-Oberfläche (Highly Oriented Pyrolytic Graphite), welche in<br />

der Luft zu Testzwecke mit einer RTM-Einheit 3 aufgenommen wurde (in der Abbildung<br />

3.1). Die Reinigung der HOPG-Probe fand durch Abziehen der oberen Schicht<br />

mit einem Klebstreifen statt. Zusätzlich zu der Topographie der HOPG in der Luft<br />

wurde eine Si(111)-Oberfläche im Vakuum von jeder RTM-Einheit aufgenommen.<br />

Diese Topographiebilder der Si(111)-Oberfläche in der Abbildung 3.2 zeigen eine<br />

7×7-Rekonstruktion der präparierter Probe. Die Präparation der Si(111)-Probe fand<br />

in einer Präparationskammer statt. Die Probenoberfläche wurde durch Heizen bei<br />

1230 ◦ C gereinigt. Die Probentemperatur wurde durch einen Pyrometer kontrolliert.<br />

Beim Heizen mittels Direktstrom verdampft die obere Probenschicht und eine saubere<br />

Probenoberfläche kommt zum Vorschein. Beim Abkühlen der Probe auf der<br />

Probenoberfläche bleibt eine 7×7-Rekonstruktion [Voigtländer (2001)].<br />

Zur Bestimmung der thermischen Drift des Mikroskops wurde eine Si(110)-Probe<br />

durch Direktstromheizen gereinigt und nach dem kurzen Abkühlen in den RTM-<br />

Kopf eingesetzt. Nach der groben und feinen Annäherung der Tunnelspitze an die<br />

Probenoberfläche wurde sodann 1,5 Stunden gewartet; damit wurde das Piezokriechen<br />

minimiert. Anschließend wurde mit dem Rastern der Oberfläche begonnen.<br />

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