Dokument 1.pdf - RWTH Aachen University
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3 Anwendungen<br />
118 nm<br />
(a)<br />
H ö h e (n m )<br />
1 2<br />
1 0<br />
8<br />
6<br />
4<br />
2<br />
0<br />
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 5 0 0 6 0 0 7 0 0<br />
L a te ra le A b s ta n d (n m )<br />
(b)<br />
Abbildung 3.15: (a) RTM-Topographie der Oberfläche von Y/Si(110)-Probe. Auf<br />
der Topographieaufnahme erkennt man mehrere Yttrium-Silizid-<br />
Nanodrähte. Die Kontaktstellen der Probenoberfläche an der die<br />
Strom-Spannungs-Kennlinien aufgenommen wurden, sind mit zwei<br />
gefärbten Kreisen gezeichnet. Entlang eines weißen Pfeils wurde<br />
das Linienprofil (b) gezogen. Aufgenommen mit der RTM-Einheit 1<br />
(U T = −3, 32 V; I T = 47 pA).<br />
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