Modulhandbuch Studiengang Micro Systems and Nano Technologies
Modulhandbuch Studiengang Micro Systems and Nano Technologies
Modulhandbuch Studiengang Micro Systems and Nano Technologies
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
<strong>Modulh<strong>and</strong>buch</strong> - <strong>Micro</strong> <strong>Systems</strong> <strong>and</strong> <strong>Nano</strong> <strong>Technologies</strong> (MNT09-MA) - Master of Engineering<br />
1. Semester Kondensierte Materie (MN 01)<br />
Modulnummer: MN 01 Prüfungsnummer: Kurzzeichen:<br />
Lernziele: Ziel des Moduls sind fundierte Kenntnisse in den wesentlichen<br />
Themengruppen der Festkörperphysik (Kristallografie, Elektronen im<br />
Festkörper, Frequenzabhängigkeit der Dielektrizitätskonstante,<br />
Gitterschwingungen). Die Lernziele umfassen das Verständnis der<br />
fundamentalen Konzepte, Anwendung und Übertragung dieser<br />
Konzepte auf spezifische Problemstellungen sowie das Lösen<br />
quantitativer Probleme. Im Hinblick auf die Bedeutung von<br />
Halbleitern in der Mikrotechnik und in der Mikroelektronik wird die<br />
Halbleiterphysik in einer gesonderten Vorlesung vertieft.<br />
Eingangsvoraussetzungen: Mathematik für Ingenieure und Naturwissenschaftler Physik für<br />
Ingenieure und Naturwissenschaftler Halbleitermaterialien und<br />
Halbleiterprozesse<br />
Prüfungsart: Prüfungsleistung<br />
Prüfungsform: Klausur Halbleiterphysik - Semiconductor Physics<br />
Umfang: Summe ECTS P.: 5 / Summe SWS: 4<br />
Gesamtprüfung - Anteil: 8,50 %<br />
zugehörige Veranstaltungen: Halbleiterphysik - Semiconductor Physics 2V<br />
Festkörperphysik - Solid State Physics 2V<br />
Modulverantwortlich: Prof. Dr. Hildegard Möbius<br />
Prof. Dr. Konrad Wolf<br />
Veranstaltung Halbleiterphysik - Semiconductor Physics (MN 01-1)<br />
Veranstaltungsnummer: MN 01-1 Kurzzeichen: Semester: 1<br />
Inhalt: Kristallgitter und Bänderschema von Halbleitermaterialien (direkte<br />
und indirekte Halbleiter);<br />
Zust<strong>and</strong>sdichte, Fermi-Dirac-Verteilung, Fermi-Energie, Intrinsic-<br />
Dichte;<br />
Elektronen, Löcher, effektive Masse von Ladungsträgern;<br />
Dotierung von Halbleitern:<br />
Donatoren und Akzeptoren, Quasi-Fermi-Niveaus;<br />
Ladungsträgerkonzentration und Leitfähigkeit in dotierten<br />
Halbleitern;<br />
Ladungsträgergeneration und -rekombination;<br />
Optische Übergänge in Halbleitern (Exzitonen, Absorption,<br />
Rekombination)<br />
Heterostrukturen (B<strong>and</strong>- und Kristallstruktur von Heterostrukturen,<br />
Gitterfehlanpassung, Verspannung, Relaxation, kritische<br />
Schichtdicke, b<strong>and</strong>-gap engineering);<br />
Laserdioden als Anwendung von Heterostrukturen (Ladungsträger-<br />
Confinement, Licht-Confinement).<br />
Crystal structure <strong>and</strong> energy-b<strong>and</strong>s of semiconductor materials<br />
(direct <strong>and</strong> indirect semiconductors);<br />
density of states, Fermi-Dirac distribution, Fermi-level, Intrinsic<br />
density of charge carriers;<br />
electrons, holes, effective mass of charge carriers;<br />
doped semicondcutors:<br />
Donors <strong>and</strong> acceptors;<br />
Quasi-Fermi levels;<br />
carrier concentration <strong>and</strong> conductivity in doped semiconductors;<br />
drift-velocity, mobility of charge carriers, scattering processes;<br />
generation- <strong>and</strong> recombination-processes at thermal equilibrium;<br />
optical processes in semiconductors (excitons, absorption,<br />
recombination) Heterostructures (b<strong>and</strong> structure <strong>and</strong> crystal<br />
structure of heterostructures, lattice mismatch, strain, relaxation,<br />
critical thickness, b<strong>and</strong>-gap engineering);<br />
laser diodes as application of heterostructures (charge carrier<br />
confinement <strong>and</strong> light confinement).<br />
Seite 3
Change language