Modulhandbuch Studiengang Micro Systems and Nano Technologies

Modulhandbuch - Micro Systems and Nano Technologies (MNT09-MA) - Master of Engineering
Veranstaltung Mikro- und Nanoelektronische Bauelemente - Microelectronic and Nanoelectronic Devices
(MN 02-2)
Studienbehelfe / Literatur: Richard Feynman: Es ist so einfach, Kap.5, Piper Verlag, ISBN: 3-
492-04251-1
Horst Günter Rubahn: Nanophysik und Nanotechnologie, Teubner
Verlag, ISBN: 3-519-00331-7
Michael Köhler: Nanotechnologie, Wiley-VCH, ISBN: 3-527-30127-
5
Wolfgang Fahrner: Nanotechnologie und Nanoprozesse, Springer
Verlag, ISBN: 3-540-44212-X
Flegler, Heckman, Klomparens: Elektronenmikroskopie, Spektrum
Verlag, ISBN: 3-86025-3417
Alexander, Physikalische Grundlagen der Elektronenmikroskopie,
Teubner Verlag, ISBN-10: 351903221X, ISBN-13: 978-3519032212
A practical Guide to Scanning Probe Microscopy, Park Scientific
Instruments
Lehrsprache: Deutsch
Präsenzzeit: 23 Stunden Präsenzzeit
Umfang: ECTS P.: 2 / SWS: 2V
Verantwortliche Dozenten: Prof. Dr. Peter Pokrowsky
Veranstaltungsnummer: MN 02-2 Kurzzeichen: Semester: 2 WS
Inhalt: Ladungsträgerkonzentration und Leitfähigkeit in undotierten und
dotierten Halbleitern;
Driftströme und Diffusionsströme;
Ableitung der Diodengleichung und Abweichungen von der idealen
Diodengleichung;
Kapazitäts-, Temperatur- und Durchbruchverhalten von Dioden;
Metall-Halbleiter-Übergang (Schottky-Diode);
Ohmsche Kontakte;
Ableitung der Transistorgleichungen von Bipolar- und MOS-
Transistoren; Abweichungen von den idealen
Transistorgleichungen;
Kapazitäts-, Temperatur- und Durchbruchverhalten von Bipolarund
MOSTransistoren;
Heterobipolartransistoren als Anwendung von Halbleiter-
Heterostrukturen; Kurzkanaleffekte von MOSFETs, CMOS-
Transistoren und CMOS-Scaling;
Design und Technologie von Sub-100nm Transistoren;
Elektronische Speicherbauelemente (flüchtig und nichtflüchtig);
Quantum-Wells, Quantum-Wires, Quantum-Dots;
Single-electron Devices;
Resonante Tunnel-Elektroden.
charge carrier concentration and conductivity in undoped and
doped semiconductors;
drift currents and diffusion currents;
basic current-voltage equation, important second order effects,
capacitance, temperature effects and breakdown phenomena of
diodes;
Schottky Diodes;
metal-semiconductor contacts;
Basic current-voltage equation, important second order effects,
capacitance, temperature effects, and breakdown phenomena of
bipolar-transistors and MOSFET-transistors;
heterobipolar transistors as application of semiconductor
heterostructures;
short channel effects of CMOS-transistors and CMOS-scaling;
Device design and technology of sub-100nm transistors; memory
devices (volotile and nonvolotile) and device scaling;
quantum-wells, quantum-wires, quantum-dots;
resonant tunneling diodes.
Seite 9