Повърхнин<strong>на</strong>та плътност <strong>на</strong> актив<strong>на</strong>та мощност, респективно актив<strong>на</strong>та мощност,се възприема като количестве<strong>на</strong> мяра не само <strong>на</strong> елементарните процеситев плазмата (дисоциация, йонизация, рекомби<strong>на</strong>ция), но и <strong>на</strong> всичкихимични промени, протичащи с обмен <strong>на</strong> електрони вътре в обема <strong>на</strong> разрядаи върху повърхността <strong>на</strong> “потопените” в плазмата подложки. В този смисъл,зависимостта <strong>на</strong> повърхнин<strong>на</strong>та плътност <strong>на</strong> мощността р S от приложеното<strong>на</strong>прежение U върху електрод<strong>на</strong>та система се разглежда като основ<strong>на</strong> технологич<strong>на</strong>характеристика <strong>на</strong> разряда, [7].Диелектрич<strong>на</strong>та бариера (В) е изработе<strong>на</strong> от лист алкално стъкло с ед<strong>на</strong> и същадебели<strong>на</strong> при всички изследвани електродни системи: b = 3 mm = const. Тяе изработе<strong>на</strong> от алкално стъкло със следните електрически параметри: относител<strong>на</strong>диелектрич<strong>на</strong> проницаемост r = 10; специфично обемно електрическосъпротивление V = 10 9 m; тангенс от ъгъла <strong>на</strong> диелектричните загубиtg = 25 (при 20 0 С). Разположе<strong>на</strong> е асиметрично в близост до високоволтовияелектрод (HV-E). Диелектрич<strong>на</strong>та бариера, високоволтовият електрод ипостоянните магнити (РМ) образуват равнин<strong>на</strong> слоеста структура, като постояннитемагнити са залепени непосредствено върху алуминиевия (немагнитния)високоволтов електрод. Той, от своя стра<strong>на</strong>, представлява самозалепващоалуминиево фолио с дебели<strong>на</strong> 500 m, така че стъкле<strong>на</strong>та бариера е конструктивнияткомпонент, който механически носи електрода и постояннитемагнити, фиг. 1 и 2.Разработени са два вида магнитни структури - с анизотропни стронциеви и средкоземни постоянни магнити. Магнитните структури с анизотропни стронциеви(стронциев ферит) постоянни магнити образуват плът<strong>на</strong> мрежа (разположениса плътно един до друг, а не шахматно) с много по-голяма елементар<strong>на</strong>клетка поради по-големите размери <strong>на</strong> постоянните магнити -80х57х12 mm. Магнитните и електрическите им характеристики са следните(СФ 24, Фирма „Магнит” ООД, Перник, България): B r = 0,37 T;H c,i 224 kA/m; (BH) max 24 kJ/m 3 , r = 1,2; T Q = 462 0 C; V = 10,6 .m; = 4,55 g/m 3 . Магнитите структури, съставени от синтеровани неодимови(редкоземни) постоянни магнити Nd 2 Fe 14 B, позволяват много рацио<strong>на</strong>лно дасе реализира з<strong>на</strong>чително по-силно магнитно поле (и стимулиране <strong>на</strong>бариерния разряд) при з<strong>на</strong>чително по-слабо увеличаване <strong>на</strong> теглото и <strong>на</strong>размерите <strong>на</strong> електрод<strong>на</strong>та система. Това се дължи <strong>на</strong> добрите магнитнихарактеристики <strong>на</strong> неодимовите постоянни магнити:B r = 1,01,4 T; H c,i = 7502000 kA/m; (BH) max = 200440 kJ/m 3 , T C = 310440 0 Cи з<strong>на</strong>чително по малките геометрични размери – 30х15х3 mm. Те могат суспех да изграждат, както отворени (без магнитопровод), така и затворениравнинни (слойни) магнитни системи. Феромагнитният магнитопровод (МС)се разполага като четвърти слой върху стъкле<strong>на</strong>та бариера, като механические свързан към нея чрез действащите електромагнитни сили между него ипостоянните магнити. Магнитопроводът е изработен от студено валцува<strong>на</strong>електротехническа неориентира<strong>на</strong> стома<strong>на</strong> M 250-35A (БДС EN 10106:2007)с параметри : 1,5 Т, 50 Hz, 2,5 W/kg. Набира се от четири слоя ламели, изрязани100
от лист електротехническа стома<strong>на</strong> с обща дебели<strong>на</strong> δ = 4 x Δ = 4 x 0,35=1,4mm, така че да затвори магнитно системата от външ<strong>на</strong>та стра<strong>на</strong>, в съответствиес предшестващи експериментални скринингови изследвания, [7].4. Експериментални резултати и дискусияИзменението <strong>на</strong> разстоянието d, при постоянно <strong>на</strong>лягане (р 0 ) и температура(Т 0 ), <strong>на</strong>рушава подобието <strong>на</strong> бариерните разряди – те не са подобни и се запалвати горят по различен <strong>на</strong>чин. Технологич<strong>на</strong>та характеристика показвастадиите, през които преми<strong>на</strong>ват тези силно различаващи се разряди. Нещоповече, ясно се отличават различните механизми (операционни режими) <strong>на</strong>горене - първият максимум <strong>на</strong> p S (при междини около 11,5 mm) се определяот лавинния характер <strong>на</strong> разряда и може да се приеме като квазихомоген<strong>на</strong>форма <strong>на</strong> горене <strong>на</strong> разряда; вторият и другите максимуми се определят отпоследовател<strong>на</strong>та поява <strong>на</strong> катодно (анодни) и анодно (катодни) <strong>на</strong>соченистримери. Трудността за идентифициране <strong>на</strong> различните операционни режими<strong>на</strong> бариерния разряд във въздух при атмосферно <strong>на</strong>лягане, както и появата<strong>на</strong> повече характерни максимуми, може да се свърже единствено с разделнотоучастие <strong>на</strong> процеси, свързани с дисоциирането и йонизирането <strong>на</strong> кислородаи азота във въздуха. Последователно <strong>на</strong> фиг. 2 и 3 са показани технологичнитехарактеристики и съответстващите им операционни режими, отбелязани сбуквите А, В, С, D, <strong>на</strong> бариерни разряди без магнитно стимулиране с външнопостоянно магнитно поле. В<strong>на</strong>сянето <strong>на</strong> феромагнитен противоелектрод многосъществено променя технологич<strong>на</strong>та характеристика. В този случай битрябвало да се говори за “вътрешно” магнитно стимулиране, тъй като бариерниятразряд не гори във външно магнитно поле. Още нещо, очевидно е з<strong>на</strong>чимотоподобряване <strong>на</strong> всички операционни режими <strong>на</strong> горене <strong>на</strong> разряда.Може да се твърди, че <strong>на</strong>й-съществено е стимулирането и <strong>на</strong> двете стримерниформи <strong>на</strong> горене <strong>на</strong> бариерния разряд във въздух. При това, смя<strong>на</strong>та <strong>на</strong> алуминияс електротехническа стома<strong>на</strong> не променя съществено размерите и теглото<strong>на</strong> електрод<strong>на</strong>та система. Технологичните характеристики, представени<strong>на</strong> фиг. 4 и 5, показват магнитно стимулиране <strong>на</strong> бариерни разряди с външнопостоянно магнитно поле, създадено от анизотропни стронциеви постояннимагнити. Изследвани са две отворени (без магнитопровод) магнитни системи,съставени от анизотропни стронциеви постоянни магнити, разположени плътноедин до друг. Може да се твърди, че съществе<strong>на</strong> разлика между двете схеми<strong>на</strong> магнитно стимулиране - с и без магнитно огледало, няма. Естествено,това може да се дължи <strong>на</strong> относително ниското по интензитет постоянно магнитнополе. Магнитното „огледало” няма съществено предимство при тезиусловия пред стимулирането, определено от увеличе<strong>на</strong>та вероятност за ударновзаимодействие и удължения живот <strong>на</strong> електроните. На фиг. 6 и 7 са показанитехнологичните характеристики <strong>на</strong> бариерни разряди, които горят в магнитниструктури, изградени с редкоземни постоянни магнити.101
- Page 1 and 2:
ISSN 1311-0829ГОДИШНИК НА
- Page 3 and 4:
Годишник на Технич
- Page 5 and 6:
Годишник на Технич
- Page 7:
Годишник на Технич
- Page 10 and 11:
• If a neutral element 1 of the s
- Page 12 and 13:
Proof. (i) Since for arbitrary ≀
- Page 14 and 15:
)is the endomorphism ≀ 0, . . . ,
- Page 16 and 17:
∣∣E (k)C n∣ ∣∣ =Propositi
- Page 18 and 19:
For k = 0 and s = 1 from the last p
- Page 20 and 21:
Facts concerning semilattices can b
- Page 22 and 23:
described by the following join-tab
- Page 24 and 25:
Finally we observe{aj , if i = k(f
- Page 26 and 27:
Let us consider the endomorphisms f
- Page 28 and 29:
Proposition 3.8 For any n ≥ 2 in
- Page 30 and 31:
Cryptographic protocols based on DL
- Page 32 and 33:
2.5 Bi-Semigroup Action Problem (BS
- Page 35 and 36:
Theorem 4.5 [14]. In the center of
- Page 37 and 38:
The only way we know for an attacke
- Page 39 and 40:
Годишник на Технич
- Page 41 and 42:
The exact definitions of points and
- Page 43 and 44:
FirstIterationSecondIterationx 0 0
- Page 45 and 46:
* x4. Order of approximationBecause
- Page 47 and 48:
Годишник на Технич
- Page 49 and 50: генератори, присъе
- Page 55 and 56: № РежимТабл.4.1 Бала
- Page 57 and 58: Годишник на Технич
- Page 59 and 60: Табл.11 2 3 4 5 6 7Загуби
- Page 61 and 62: оцени разхода на ак
- Page 63 and 64: сформатора се нала
- Page 65 and 66: -да допуска претова
- Page 67 and 68: Годишник на Технич
- Page 69 and 70: -големи трудности п
- Page 71 and 72: трансформаторът се
- Page 73 and 74: При известно фазов
- Page 75 and 76: KU BHOCHR (12)w w wЗа да се
- Page 77 and 78: Годишник на Технич
- Page 79 and 80: aided impregnation of wood and wood
- Page 81 and 82: different as a result of the differ
- Page 83 and 84: Table 2. Carbon peak C s1 component
- Page 85 and 86: Годишник на Технич
- Page 87 and 88: esults indicating that the reductio
- Page 89 and 90: Change of Mass M, %100-10-20-30-40
- Page 91 and 92: However, the correlation between re
- Page 93 and 94: Electrical Apparatus and Technologi
- Page 95 and 96: Годишник на Технич
- Page 97 and 98: - преходът към стри
- Page 99: или магнитно изоли
- Page 103 and 104: Фиг. 6. Изменение на
- Page 105 and 106: Годишник на Технич
- Page 107 and 108: Fig.1 Block structure of proposed o
- Page 109 and 110: Fig.4. Initial and best shape of po
- Page 111 and 112: Fig.8 Calculated initial cogging to
- Page 113 and 114: Годишник на Технич
- Page 115 and 116: Octave/Lua interface is a Matlab to
- Page 117 and 118: pends on the results of the thermal
- Page 119 and 120: 4. ResultsAs it has been mentioned
- Page 121 and 122: A DC electromagnetic actuators with
- Page 123 and 124: Годишник на Технич
- Page 125 and 126: ращ се наблизо пров
- Page 127 and 128: Фиг. 4. Зависимост н
- Page 129 and 130: че максималната то
- Page 131 and 132: 3.7. Ефект близост в
- Page 133 and 134: Годишник на Технич
- Page 135 and 136: 11 c x6T 2 c3c4c5ec p c1c , (2)
- Page 137 and 138: От кривата на макси
- Page 139 and 140: 109.598.5Wind speed, m/s87.576.565.
- Page 141 and 142: 6. ЗаключениеВ стат
- Page 143 and 144: Годишник на Технич
- Page 145 and 146: Фиг.1. Заместваща сх
- Page 147 and 148: където t е времето м
- Page 149 and 150: Бяха проведени и ек
- Page 151 and 152:
Представени са рез
- Page 153 and 154:
Годишник на Технич
- Page 155 and 156:
Фиг.3. Архитектури н
- Page 157 and 158:
P SC_refP batP WP HGP storP bat_ref
- Page 159 and 160:
1500Фиг.9. Модел в Matlab/
- Page 161 and 162:
Isc, AVsc, V50403020100-10-20-30-40
- Page 163 and 164:
Годишник на Технич
- Page 165 and 166:
шаване на температ
- Page 167 and 168:
При променлив темп
- Page 169 and 170:
Годишник на Технич
- Page 171 and 172:
2. Примерни компютъ
- Page 173 and 174:
3.3. Изследване на фо
- Page 175 and 176:
алгебра. За целта с
- Page 177 and 178:
3.13. Изчисляване на
- Page 179 and 180:
Годишник на Технич
- Page 181 and 182:
Количеството на от
- Page 183 and 184:
(CaSO 4 .2H 2 O) (фиг. 3). То
- Page 185 and 186:
работят всички инс
- Page 187 and 188:
(НДНТ), което за Бъл
- Page 189 and 190:
Годишник на Технич
- Page 191 and 192:
Communications software and hardwar
- Page 193 and 194:
puter is running virtualization sof
- Page 195 and 196:
execution to the dispatcher applica
- Page 197 and 198:
Годишник на Технич
- Page 199 and 200:
Тунелирането скрив
- Page 201 and 202:
управление на ресу
- Page 203 and 204:
Фиг.6: Симулационен
- Page 205 and 206:
tunnel source 1.1.1.1tunnel destina
- Page 207 and 208:
Годишник на Технич
- Page 209 and 210:
При отворена вериг
- Page 211 and 212:
Таблица 3Задвижващ
- Page 213 and 214:
Фигура 3.При съотно
- Page 215 and 216:
Годишник на Технич
- Page 217 and 218:
Необходимо е така д
- Page 219 and 220:
yследователно:( k )UOsi
- Page 221 and 222:
Годишник на Технич
- Page 223 and 224:
Laskin and Wang presented a detaile
- Page 225 and 226:
Figure 2: Temperature dependence of
- Page 227 and 228:
An additional analysis obtained at