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Ce document numérisé est le fruit d'un long travail approuvé par le ...

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Fig.82: Photo et schéma du modu<strong>le</strong> avec son refroidisseur 119<br />

Fig. 83: Résultats de simulation 3D, en dynamique, du comportement thermique du<br />

convertisseur multichip soumis à une puissance de 1 W sur une puce et avec Tref=O°C ..... 123<br />

Fig. 84: Va<strong>le</strong>urs statiques des températures aux interfaces des couches et à la vertica<strong>le</strong> des<br />

puces du convertisseur intégré lorsqu'on applique 1W et que Tref=O°C. 124<br />

Fig. 85: Convertisseur intégré, instrumenté avec thermomètre à fibres optiques pour suivre<br />

l'évolution de température des puces silicium 125<br />

Fig. 86: Mesures expérimenta<strong>le</strong>s des températures et de la puissance, réalisées sur banc<br />

d'essais 126<br />

Fig.87: Détermination des impédances thermiques d'après <strong>le</strong>s mesures expérimenta<strong>le</strong>s des<br />

températures et de la puissance, réalisées sur banc d'essais 127<br />

Fig.88: Résultats et corrélation entre calculs numériques et essais expérimentaux pour des<br />

impédances propres et mutuel<strong>le</strong>s 128<br />

Fig.89: Affectations des expressions des impédances propres et mutuel<strong>le</strong>s aux éléments de la<br />

matrice impédance 129<br />

Fig.90: Schéma synoptique du modè<strong>le</strong> thermique réduit 129<br />

Fig.9J: Mesures de la chute directe de tension des puces 1GBT et Diode du convertisseur<br />

intégré 130<br />

Fig. 92: Va<strong>le</strong>urs des pertes <strong>par</strong> conduction dans <strong>le</strong>s puces 1GBT et Diode du convertisseur<br />

intégré 131<br />

Fig.93: Courbes de commutation ON et OFF <strong>d'un</strong>e puce JGBT pour une tension de 220Vet<br />

un courant de 150A 131<br />

Fig. 94: Va<strong>le</strong>urs des pertes <strong>par</strong> commutation dans <strong>le</strong>s puces IGBT et Diode du convertisseur<br />

intégré pour une fréquence d'1kHz 132<br />

Fig.95: Schéma synoptique du modè<strong>le</strong> é<strong>le</strong>ctrothermique 133<br />

Fig. 96: Com<strong>par</strong>aison des résultats de simulation et d'expérimentation pour 2 puces<br />

dissipatrices 134<br />

Fig.97: Simulation dufonctionnement de l'ondu<strong>le</strong>ur en conditions réel<strong>le</strong>s 135<br />

Fig. 98: Evolution des températures des puces #1 (IGBT) et #7 (diode) pour un temps de<br />

simulation <strong>long</strong> (20s) 135<br />

Fig.99: Courants et températures dans une puce IGBT et diode, durant deux périodes de Fout<br />

(20Hz) 136<br />

Fig.IOO: Températures des 6 puces IGBT, mettant en évidence la prise en compte de<br />

l'emplacement des puces dans <strong>le</strong> modu<strong>le</strong> 137<br />

Fig.IOI: Convertisseur intégré utilisé pour la validation du modè<strong>le</strong> é<strong>le</strong>ctrothermique 138<br />

Fig.J02: Détail de la mesure thermique de la semel<strong>le</strong> <strong>par</strong> thermocoup<strong>le</strong> et photo du montage<br />

................................................................................................................................................ 139<br />

Fig.J03: Schéma du banc de la chaîne de traction é<strong>le</strong>ctrique utilisé pour <strong>le</strong>s essais<br />

expérimentaux 140<br />

181<br />

Il 1

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