Ce document numérisé est le fruit d'un long travail approuvé par le ...

a:
c:
EA
Eg :
F:
Four:
lc:
Ices:
Ict:
Ige:
lisol :
k:
L:
n :
N:
Noc:
Nf:
N PCT :
peT
NôT :
ND 1
q:
r :
Rgon :
Rgoff :
Rthjc :
Rthjw :
Tc:
Tf:
Tj :
Tjcar:
Notations et Symboles
Diffusivité thermique [ m 2 .s"].
Chaleur spécifique d'un matériau [J.kg·IX· I ].
Energie d'activation utilisée dans le terme d'Arrhenius.
bande d'énergie interdite [eV].
Facteur d'accélération [Hz].
Fréquence de sortie onduleur [Hz].
Courant de charge circulant dans un composant de puissance [A].
Courant de fuite mesuré lors du test d'isolement entre le collecteur et l'émetteur
lorsque l'IGBT n'est pas commandé [A].
Courant faible circulant dans l'IGBT et permettant une mesure indirecte de la
température [A].
Courant de grille d'un [GBT [A].
Courant de fuite mesuré lors du test d'isolement de l'empilement des couches [A].
Constant de Boltzmann (8,617.10. 5 eV.K'I).
variable de Laplace.
Nombre de puces dans un convertisseur intégré multichip.
Nombre de couches de matériaux dans un module de puissance.
Point de distribution cumulée. Exprimé en nombre de cycles [Nf] ou [h].
Durée de vie requise pour le véhicule [Nf] ou [hl.
Courbe de durée de vie tirée des essais de Power Cycling Test.
ombre de cycles d'amplitude LiT, tiré des courbes de résultats des tests de Power
Cycling.
ombre de cycles d'amplitude i, tiré de la distribution de température des profils
de mission.
Nombre d'IGBT par module Dual.
Puissance électrique appliquée sur la puce [W].
Somme des pertes appliquées sur les puces d'un module [W].
débit d'eau dans le refroidisseur [l.mn· l ] ou [l.s· l ].
Taux de réaction défini par Arrhenius.
Résistance de grille pour le blocage d'un lGBT [0].
Résistance de grille pour l'ouverture d'un IGBT [0].
Résistance thermique entre lajonction et la semelle d'un module [K.W'!].
Résistance thermique entre la jonction d'un module et l'eau de son refroidisseur
[K.W· 1 ].
Température de semelle (case) d'un module de puissance [oC].
Température de fusion [oC].
Température de jonction silicium d'un module de puissance [oC].
Tj mesurée durant la phase de caractérisation nécessaire au calcul de Vcecor [oC].
1111