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Fig.82: Photo et schéma du module avec son refroidisseur 119 Fig. 83: Résultats de simulation 3D, en dynamique, du comportement thermique du convertisseur multichip soumis à une puissance de 1 W sur une puce et avec Tref=O°C ..... 123 Fig. 84: Valeurs statiques des températures aux interfaces des couches et à la verticale des puces du convertisseur intégré lorsqu'on applique 1W et que Tref=O°C. 124 Fig. 85: Convertisseur intégré, instrumenté avec thermomètre à fibres optiques pour suivre l'évolution de température des puces silicium 125 Fig. 86: Mesures expérimentales des températures et de la puissance, réalisées sur banc d'essais 126 Fig.87: Détermination des impédances thermiques d'après les mesures expérimentales des températures et de la puissance, réalisées sur banc d'essais 127 Fig.88: Résultats et corrélation entre calculs numériques et essais expérimentaux pour des impédances propres et mutuelles 128 Fig.89: Affectations des expressions des impédances propres et mutuelles aux éléments de la matrice impédance 129 Fig.90: Schéma synoptique du modèle thermique réduit 129 Fig.9J: Mesures de la chute directe de tension des puces 1GBT et Diode du convertisseur intégré 130 Fig. 92: Valeurs des pertes par conduction dans les puces 1GBT et Diode du convertisseur intégré 131 Fig.93: Courbes de commutation ON et OFF d'une puce JGBT pour une tension de 220Vet un courant de 150A 131 Fig. 94: Valeurs des pertes par commutation dans les puces IGBT et Diode du convertisseur intégré pour une fréquence d'1kHz 132 Fig.95: Schéma synoptique du modèle électrothermique 133 Fig. 96: Comparaison des résultats de simulation et d'expérimentation pour 2 puces dissipatrices 134 Fig.97: Simulation dufonctionnement de l'onduleur en conditions réelles 135 Fig. 98: Evolution des températures des puces #1 (IGBT) et #7 (diode) pour un temps de simulation long (20s) 135 Fig.99: Courants et températures dans une puce IGBT et diode, durant deux périodes de Fout (20Hz) 136 Fig.IOO: Températures des 6 puces IGBT, mettant en évidence la prise en compte de l'emplacement des puces dans le module 137 Fig.IOI: Convertisseur intégré utilisé pour la validation du modèle électrothermique 138 Fig.J02: Détail de la mesure thermique de la semelle par thermocouple et photo du montage ................................................................................................................................................ 139 Fig.J03: Schéma du banc de la chaîne de traction électrique utilisé pour les essais expérimentaux 140 181 Il 1
Tables des Illustrations Fig.l04: Représentation du couple et de la vitesse de rotation moteur, relevés durant l'essai expérimental sur banc 140 Fig.lOS: Allure du courant de la phase 1 du moteur à reluctance variable (début du profil NMVEG) 141 Fig.l06: Comparaison entre les températures simulées et calculées de jonction et de case pour une puce IGBT (moitié du profil NMVEG) 142 Fig.l07: Comparaison entre les températures simulées et calculées de jonction et de case pour une puce diode (moitié du profil NMVEG) 143 182
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