Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
iii.ii.IU-Umsetzer<br />
<strong>Anhang</strong> 116<br />
Schaltungsaufbau<br />
Die oberen beiden DIP-Schalter der mittleren Reihe dienen zur Auswahl der<br />
Source-Zuleitungen der Transistoren. Die DIP-Schalter haben drei Stellungen<br />
(oben: ein, mitte: hochohmig, unten: Masse). Mit den roten DIP-Schaltern können<br />
die zweiten Drain-Zuleitungen der Transistoren „d“ zugeschaltet werden.<br />
Auf dem unteren Drittel der Platine befinden sich zwei IU-Umsetzer, die fast symmetrisch<br />
aufgebaut sind (rechts und links unten). Sie unterscheiden sich nur durch<br />
unterschiedliche Operationsverstärkerbausteine in der ersten Stufe.<br />
Abb. 88: Platine (unten). Im endgültigen Platinenlayout sind alle freien Flächen<br />
als Masseflächen ausgeführt. (Beschriftung fehlt noch)
Change language