Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin

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iv.Kennlinien der EOS-Transistoren <strong>Anhang</strong> 118 Kennlinien der EOS-Transistoren Im folgenden sind die Kennlinien der 16 unterschiedlichen EOS-Transistoren auf dem Cultus-Chip dargestellt. Die Messungen wurden jeweils am Transistor „a“ in der entsprechenden Reihe (1 bis 16) durchgeführt. Aus den Ausgangskennlinien mit UDS = UGS (Teil iv.i) werden die Übertragungsleitwertfaktoren β und die Einsatzspannungen UTH bestimmt. Die genaue Vorgehensweise ist in Kap. 5.1 beschrieben. Aus den Steuerkennlinien (Transferstromkennlinie) mit UDS = – 25V , (Teil iv.ii) wird die Steilheit der Transistoren gm im gewählten Arbeitspunkt abgelesen. Die Tab. 11 enthält zur Übersicht alle ermittelten Parameter. Tab. 11:Parameter der EOS-Transistoren. Die Steilheit gm bezieht sich auf den Arbeitspunkt UDS = UGS = – 25V , . Transistor W/L β [10 -6 A/V 2 ] K p [10 -6 A/V 2 ] U TH [V] g m [µS] 1 4 239 59,75 -0,29 340,7 2 6 394 65,67 -0,32 486,5 3 3 183 61 -0,32 255,8 4 2 110 55 -0,33 161,3 5 2 72 36 -0,32 121,1 6 1,33 60 45,11 -0,35 101,3 7 2,67 143 53,56 -0,31 222,7 8 1,11 48 43,24 -0,49 78,2 9 1 50 50 -0,32 89,9 10 1 47 47 -0,32 79,3 11 1 51 51 -0,33 85,2 12 1,11 47 42,34 -0,40 75,8 13 1,11 27 27 -0,47 49,2 14 1 56 56 -0,35 92,5 15 0,2 7 35 -0,33 14,3 16 5 391,7 iv.i.Ausgangskennlinien mit U GS =U DS In den Abb. 90 bis Abb. 119 ist für jeden Transistortyp des Cultus-Chips die Ausgangskennlinie IDS = fU ( DS) und IDS = fU ( DS) mit UDS = UGS dargestellt. Die Kennlinie IDS = fU ( DS) ist im Idealfall eine Gerade mit der Steigung β/2 , sofern sich der Transistor immer im Sättigungsbereich befindet. Dies ist der Fall, wenn UDS = UGS gilt. Aus dem Schnittpunkt der Geraden mit dem Nullpunkt kann die Einsatzspannung UTH und aus der Steigung der Geraden kann der Übertragungsleitwertfaktor β bestimmt werden (Kap. 5.1).
-I ds [A] 800µ 700µ 600µ 500µ 400µ 300µ 200µ 100µ 0 Abb. 90: Transitor 1: Ausgangskennlinie mit = . sqrt(-I DS ) [sqrt(A)] 30m 25m 20m 15m 10m 5m 0 – 6 Abb. 91: Transistor 1: = – 029V , , β 239×10 A/V . 2 = <strong>Anhang</strong> 119 Kennlinien der EOS-Transistoren 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 -U DS [V] (U DS =U GS ) U DS U GS 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 U TH -U DS [V] (U DS =U GS )
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Seite 3 und 4: 1 Vm u-Vr V V (0.01*(10-u))/(exp((1
Seite 5 und 6: ii. Operationsverstärker ii.i. NF-
Seite 7 und 8: Tiefpaßcharakteristik u + u - u d
Seite 9 und 10: iii.Schaltungsaufbau iii.i.Multiple
Seite 11: Abb. 89: Platine (oben). Anhang 117
Seite 15 und 16: -I DS [A] 500µ 400µ 300µ 200µ 1
Seite 25 und 26: -I DS [A] 100µ 90µ 80µ 70µ 60µ
Seite 27 und 28: -I DS [A] 30µ 25µ 20µ 15µ 10µ
Seite 29 und 30: -I DS [A] -I DS [A] 500µ 400µ 300
Seite 35 und 36: -I DS [A] -I DS [A] 30µ 25µ 20µ
Seite 37 und 38: Tab. 14:Extrazelluläre Lösung (pH
Seite 39 und 40: v.ii.Durchführung Anhang 145 Präp
Seite 41 und 42: Anhang 147 Ergebnisse aus Messungen
Seite 43 und 44: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 45 und 46: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 47 und 48: Strommodulation Transistor [A] Stim
Seite 57 und 58: Literatur 163 [23] J. Pine, Recordi

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