Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
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-I DS [A]<br />
-I DS [A]<br />
160µ<br />
140µ<br />
120µ<br />
100µ<br />
80µ<br />
60µ<br />
40µ<br />
20µ<br />
Abb. 130:Transistor 11: = – 25V , , gm = 85, 2μS<br />
160µ<br />
140µ<br />
120µ<br />
100µ<br />
80µ<br />
60µ<br />
40µ<br />
20µ<br />
Abb. 131:Transistor 12: = – 25V , , gm =<br />
75, 8μS<br />
<strong>Anhang</strong> 139<br />
Kennlinien der EOS-Transistoren<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)