Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin

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iii.ii.IU-Umsetzer <strong>Anhang</strong> 116 Schaltungsaufbau Die oberen beiden DIP-Schalter der mittleren Reihe dienen zur Auswahl der Source-Zuleitungen der Transistoren. Die DIP-Schalter haben drei Stellungen (oben: ein, mitte: hochohmig, unten: Masse). Mit den roten DIP-Schaltern können die zweiten Drain-Zuleitungen der Transistoren „d“ zugeschaltet werden. Auf dem unteren Drittel der Platine befinden sich zwei IU-Umsetzer, die fast symmetrisch aufgebaut sind (rechts und links unten). Sie unterscheiden sich nur durch unterschiedliche Operationsverstärkerbausteine in der ersten Stufe. Abb. 88: Platine (unten). Im endgültigen Platinenlayout sind alle freien Flächen als Masseflächen ausgeführt. (Beschriftung fehlt noch)
Abb. 89: Platine (oben). <strong>Anhang</strong> 117 Schaltungsaufbau
Seite 1 und 2: Anhang i. Simulationsmodell Vm Anha
Seite 3 und 4: 1 Vm u-Vr V V (0.01*(10-u))/(exp((1
Seite 5 und 6: ii. Operationsverstärker ii.i. NF-
Seite 7 und 8: Tiefpaßcharakteristik u + u - u d
Seite 9: iii.Schaltungsaufbau iii.i.Multiple
Seite 13 und 14: -I ds [A] 800µ 700µ 600µ 500µ 4
Seite 15 und 16: -I DS [A] 500µ 400µ 300µ 200µ 1
Seite 25 und 26: -I DS [A] 100µ 90µ 80µ 70µ 60µ
Seite 27 und 28: -I DS [A] 30µ 25µ 20µ 15µ 10µ
Seite 29 und 30: -I DS [A] -I DS [A] 500µ 400µ 300
Seite 35 und 36: -I DS [A] -I DS [A] 30µ 25µ 20µ
Seite 37 und 38: Tab. 14:Extrazelluläre Lösung (pH
Seite 39 und 40: v.ii.Durchführung Anhang 145 Präp
Seite 41 und 42: Anhang 147 Ergebnisse aus Messungen
Seite 43 und 44: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 45 und 46: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 47 und 48: Strommodulation Transistor [A] Stim
Seite 57 und 58: Literatur 163 [23] J. Pine, Recordi

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