Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
-I DS [A]<br />
-I DS [A]<br />
450µ<br />
400µ<br />
350µ<br />
300µ<br />
250µ<br />
200µ<br />
150µ<br />
100µ<br />
50µ<br />
Abb. 126:Transistor 7: = – 25V , , gm = 222, 7μS<br />
140µ<br />
120µ<br />
100µ<br />
80µ<br />
60µ<br />
40µ<br />
20µ<br />
Abb. 127:Transistor 8: = – 25V , , gm =<br />
78, 2μS<br />
<strong>Anhang</strong> 137<br />
Kennlinien der EOS-Transistoren<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)