Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
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-I DS [A]<br />
160µ<br />
140µ<br />
120µ<br />
100µ<br />
80µ<br />
60µ<br />
40µ<br />
20µ<br />
0<br />
Abb. 112:Transistor 12: Ausgangskennlinie mit = .<br />
sqrt(-I DS ) [sqrt(A)]<br />
14m<br />
12m<br />
10m<br />
8m<br />
6m<br />
4m<br />
2m<br />
0<br />
– 6<br />
Abb. 113:Transistor 12: = – 040V , , β 47×10<br />
A/V .<br />
2<br />
=<br />
<strong>Anhang</strong> 130<br />
Kennlinien der EOS-Transistoren<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
-U DS [V] (U DS =U GS )<br />
U DS<br />
U GS<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U TH<br />
-U DS [V] (U DS =U GS )
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