Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin

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-I DS [A] -I DS [A] 100µ 90µ 80µ 70µ 60µ 50µ 40µ 30µ 20µ 10µ Abb. 132:Transistor 13: = – 25V , , gm = 49, 2μS 180µ 160µ 140µ 120µ 100µ 80µ 60µ 40µ 20µ Abb. 133:Transistor 14: = – 25V , , gm = 92, 5μS <strong>Anhang</strong> 140 Kennlinien der EOS-Transistoren 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 U DS -U GS [V] (U DS =-2,5V) 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 U DS -U GS [V] (U DS =-2,5V)
-I DS [A] -I DS [A] 30µ 25µ 20µ 15µ 10µ 5µ Abb. 134:Transistor 15: = – 25V , , gm = 14, 3μS 800µ 600µ 400µ 200µ Abb. 135:Transistor 16: = – 25V , , gm = 391, 7μS <strong>Anhang</strong> 141 Kennlinien der EOS-Transistoren 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 U DS -U GS [V] (U DS =-2,5V) 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 U DS -U GS [V] (U DS =-2,5V)
Seite 1 und 2: Anhang i. Simulationsmodell Vm Anha
Seite 3 und 4: 1 Vm u-Vr V V (0.01*(10-u))/(exp((1
Seite 5 und 6: ii. Operationsverstärker ii.i. NF-
Seite 7 und 8: Tiefpaßcharakteristik u + u - u d
Seite 9 und 10: iii.Schaltungsaufbau iii.i.Multiple
Seite 11 und 12: Abb. 89: Platine (oben). Anhang 117
Seite 13 und 14: -I ds [A] 800µ 700µ 600µ 500µ 4
Seite 15 und 16: -I DS [A] 500µ 400µ 300µ 200µ 1
Seite 25 und 26: -I DS [A] 100µ 90µ 80µ 70µ 60µ
Seite 27 und 28: -I DS [A] 30µ 25µ 20µ 15µ 10µ
Seite 29 und 30: -I DS [A] -I DS [A] 500µ 400µ 300
Seite 31 und 32: -I DS [A] -I DS [A] 450µ 400µ 350
Seite 33: -I DS [A] -I DS [A] 160µ 140µ 120
Seite 37 und 38: Tab. 14:Extrazelluläre Lösung (pH
Seite 39 und 40: v.ii.Durchführung Anhang 145 Präp
Seite 41 und 42: Anhang 147 Ergebnisse aus Messungen
Seite 43 und 44: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 45 und 46: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 47 und 48: Strommodulation Transistor [A] Stim
Seite 57 und 58: Literatur 163 [23] J. Pine, Recordi

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