Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
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iv.ii.Stromsteuerkennlinien<br />
-I DS [A]<br />
-I DS [A]<br />
700µ<br />
600µ<br />
500µ<br />
400µ<br />
300µ<br />
200µ<br />
100µ<br />
Abb. 120:Transistor 1: = – 25V , , gm = 340, 7μS<br />
800µ<br />
600µ<br />
400µ<br />
200µ<br />
Abb. 121:Transistor 2: = – 25V , , gm =<br />
486, 5μS<br />
<strong>Anhang</strong> 134<br />
Kennlinien der EOS-Transistoren<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
1m<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)
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