Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

Literaturverzeichnis Literatur 162 [1] Schmidt, Thews, Physiologie des Menschen, Springer-Lehrbuch, 24. Auflage [2] Gauer, Kramer, Jung, Allgemeine Neurophysiologie, Band 10, Urban & Schwarzenberg, München, (1980) [3] Orgelmeister, Skript Medizinelektronik, TU-Berlin [4] Instruction Manual Lock-In Amplifier Model 5208, Princeton Applied Research Corporation, (1988) [5] M. Reisch, Elektronische Bauelemente, Funktion, Grundschaltungen, Modellierung mit SPICE, Springer-Verlag, (1998) [6] A.L. Hodgkin and A.F. Huxley, A qualitative description of membrane current and its application to conduction and existation in nerve, J.Physiol. 117, 500- 544, (1952) [7] P. Fromherz, A.Offenhäuser, T.Vetter, J.Weis, A neuron-silicon-junction: A retzius cell of the leech on an insulated-gate field-effect-transistor, Science 252, 1290-1293, (1991) [8] R. Weis, Neuron-Transistor-Kopplung: Bestimmung der elektrischen Übertragungseigenschaften, Universität Ulm Biophysik, (1994) [9] A. Stett, Extrazelluläre kapazitive Stimulation und Detektion elektrischer Signale individueller Nervenzellen mit planaren Silizium-Mikrostrukturen, Dissertation, MPI für Biochemie, Martinsried/München, (1995) [10] P. Fromherz, A. Strett, Silicon-neuron junction: capazitive stimulation of an individual neuron on a silicon chip, Phys. Rev. Lett. 75, 1670, (1995) [11] R. Weis, B.Müller, P.Fromherz, Neuron adhesion on a silicon chip probed by an array of field-effect transistors, Phys. Rev. Lett. 76, 327, (1996) [12] R. Weis, P.Fromherz, Frequency dependent signal transfer in neuron transistors, Phys. Rev. E 55, 877, (1997) [13] A. Stett, B.Müller, P.Fromherz, Two-way silicon-neuron interface by electrical induction, Phys. Rev. E 55, 1779, (1997) [14] P. Fromherz, Self-gating of ion channels in cell adhension, Phys. Rev. Lett. 78, 4131, (1997) [15] S. Vassanelli, P.Fromherz, Neurons from rat brain coupled to transistors, Appl. Phys. A 65, 85-88, (1997) [16] M. Jenkner, P.Fromherz, Bistability of membran conductance in cell adhesion observed in a neuron transistor, Phya. Rev. Lett. 79, 4705, (1997) [17] R. Schätzthauer, P.Fromherz, Neuron-silicon junction with voltage-gated ionic currents, Eur. J. Neurosci. 10, 1956, (1998) [18] S. Vassanelli, P.Fromherz, Transistor records of excitable neurons from rat brain, Appl. Phys. A 66, 459-463, (1998) [19] D. Braun, P.Fromherz, Fluorescence interference-contrast microscopy of cell adhesion on oxidized silicon, Appl. Phys. A 65, 341-348, (1997) [20] D. Braun, P. Fromherz, Fluorescence interferometry of neuronal cell adhesion on microstructured silicon, Phys. Rev. Lett. 81, 5241, (1998) [21] P. Fromherz, Extracellular recording with transistors and the distribution of ionic conductances in a cell membrane, Eur. Biophys. J. 28, 254-258, (1999) [22] W.G. Regehr, A long term in vitro silicon-based microelectrode-neuron connection, IEEE Trans Biomed Eng 35, 1023-1032, (1988)
Literatur 163 [23] J. Pine, Recording action potentials from cultured neurons with extracellular microcircuit electrodes, J. Neurosci. Methodes 2, 19-31, (1980) [24] G.W. Gross, Transparent indium-tin oxide electrode patterns for extracellular, multisite recording in neuronal cultures, J. Neurosci. Methodes 15, 243- 252, (1985) [25] W.G. Regehr, Sealing cultured invertebrate neurons to embedded dish electrodes facilitates long-term stimulation and recording, J. Neurosci. Methodes 30, 91-106, (1989) [26] R.J.A. Wilson, Simultabeous multisite recording and stimulation of signale isolated leech neurons using planar extracellular electrode arrays, J. Neurosci. Methods 53, 101-110, (1994) [27] C.D.Motchenbacher, J.A.Connelly, Low-noise electronic system design, John-Wiley & Sons, Inc., (1993) [28] B.Sakmann, E.Neher, Singel-Channel Recording, Plenum Press, (1983) [29] T.Kind, Dissertation, in Arbeit, TU-Berlin [30] D. Kim, Diplomarbeit, in Arbeit, TU-Berlin [31] H.G. Wagemann, W. Gerlach, Physik und Technologie der Halbleiter-Bauelemente, Skriptum, TU-Berlin, (1992) [32] A.S. Grove, Physics and technology of semiconductor devices, John Wiley and Sons, Inc., (1967)
Seite 1 und 2:
Anhang i. Simulationsmodell Vm Anha
Seite 3 und 4:
1 Vm u-Vr V V (0.01*(10-u))/(exp((1
Seite 5 und 6: ii. Operationsverstärker ii.i. NF-
Seite 7 und 8: Tiefpaßcharakteristik u + u - u d
Seite 9 und 10: iii.Schaltungsaufbau iii.i.Multiple
Seite 11 und 12: Abb. 89: Platine (oben). Anhang 117
Seite 13 und 14: -I ds [A] 800µ 700µ 600µ 500µ 4
Seite 15 und 16: -I DS [A] 500µ 400µ 300µ 200µ 1
Seite 25 und 26: -I DS [A] 100µ 90µ 80µ 70µ 60µ
Seite 27 und 28: -I DS [A] 30µ 25µ 20µ 15µ 10µ
Seite 29 und 30: -I DS [A] -I DS [A] 500µ 400µ 300
Seite 35 und 36: -I DS [A] -I DS [A] 30µ 25µ 20µ
Seite 37 und 38: Tab. 14:Extrazelluläre Lösung (pH
Seite 39 und 40: v.ii.Durchführung Anhang 145 Präp
Seite 41 und 42: Anhang 147 Ergebnisse aus Messungen
Seite 43 und 44: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 45 und 46: Strommodulation Transistor [A] intr
Seite 47 und 48: Strommodulation Transistor [A] Stim
Seite 55: Strommodulation Transistor [A] Stim
Alle anzeigen

Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

Template löschen?

Als Template speichern?