Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
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-I DS [A]<br />
350µ<br />
300µ<br />
250µ<br />
200µ<br />
150µ<br />
100µ<br />
50µ<br />
0<br />
Abb. 96: Transistor 4: Ausgangskennlinie mit = .<br />
sqrt(-I DS ) [sqrt(A)]<br />
20m<br />
15m<br />
10m<br />
5m<br />
0<br />
– 6<br />
Abb. 97: Transistor 4: = – 033V , , β 110×10<br />
A/V .<br />
2<br />
=<br />
<strong>Anhang</strong> 122<br />
Kennlinien der EOS-Transistoren<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
-U DS [V] (U DS =U GS )<br />
U DS<br />
U GS<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U TH<br />
-U DS [V] (U DS =U GS )
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