Anhang i. Simulationsmodell - FG Mikroelektronik, TU Berlin
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-I DS [A]<br />
-I DS [A]<br />
180µ<br />
160µ<br />
140µ<br />
120µ<br />
100µ<br />
80µ<br />
60µ<br />
40µ<br />
20µ<br />
Abb. 128:Transistor 9: = – 25V , , gm = 89, 9μS<br />
160µ<br />
140µ<br />
120µ<br />
100µ<br />
80µ<br />
60µ<br />
40µ<br />
20µ<br />
Abb. 129:Transistor 10: = – 25V , , gm =<br />
79, 3μS<br />
<strong>Anhang</strong> 138<br />
Kennlinien der EOS-Transistoren<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)<br />
0<br />
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0<br />
U DS<br />
-U GS [V] (U DS =-2,5V)
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