15.12.2012 Aufrufe

alternating gradient - abbremsung von benzonitril - CFEL at DESY

alternating gradient - abbremsung von benzonitril - CFEL at DESY

alternating gradient - abbremsung von benzonitril - CFEL at DESY

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

5.4 Einfluss der Biasspannung 57<br />

gegen lfs Moleküle während des bunchings dem Einfluss <strong>von</strong> zwei potentiell schief<br />

stehenden Elektrodenpaaren ausgesetzt sind. Betrachtet man für lfs OH das Ver-<br />

halten des Untergrundes, so fällt auf, dass die Intensität rel<strong>at</strong>iv zum guiding-Peak<br />

weniger stark abnimmt. Die geringere Abhängigkeit vom Elektrodenvers<strong>at</strong>z stützt<br />

die Vermutung, dass es sich bei diesen Strukturen um metastabile Pakete <strong>von</strong> Mo-<br />

lekülen handelt, und erklärt die Diskrepanz zwischen ihrer experimentellen und<br />

simulierten Intenstät in Abb. 5.3(a).<br />

Vergleichbare Experimente zum Abbremsen <strong>von</strong> tieffeldsuchenden Molekülen in<br />

einem AG-Abbremser wurden bisher nicht durchgeführt. Mittels konventioneller<br />

Stark-Abbremser ist es jedoch bereits möglich, Moleküle in tieffeldsuchenden Zu-<br />

ständen zum Stillstand zu bringen und anschließend zu fangen [82]. Insbesondere<br />

wurde dies schon für tieffeldsuchendes OH erreicht [83].<br />

5.4 Einfluss der Biasspannung<br />

Die Messungen der beiden vorherigen Abschnitte wurden bei einer Biasspannung<br />

<strong>von</strong> UB = 300 V vorgenommen, entsprechend einer maximalen Feldstärke <strong>von</strong><br />

2, 86 kV/cm. Der Einfluss der Biasspannung auf die integrierte Intensität des op-<br />

Integrierte Intensität<br />

3.5<br />

3<br />

2.5<br />

2<br />

1.5<br />

1<br />

Maximale elektrische Feldstärke in kV/cm<br />

0 0,93 1,90 2,86<br />

2<br />

1.5<br />

1<br />

lfs<br />

hfs<br />

0 100 200 300<br />

0 100 200 300<br />

Biasspannung in V<br />

(a) lfs OH<br />

2.5<br />

2<br />

1.5<br />

1<br />

Maximale elektrische Feldstärke in kV/cm<br />

0 0,95 1,90 2,86<br />

0 100 200 300<br />

Biasspannung in V<br />

(b) hfs OH<br />

Abbildung 5.6: Integrierte Intensität des guiding-Peaks für (a) lfs und (b) hfs OH in<br />

Abhängigkeit <strong>von</strong> UB und der entsprechenden maximalen Feldstärke auf der Achse<br />

rel<strong>at</strong>iv zur Intensität für UB = 0 V. Der kleine Ausschnitt in (a) zeigt die integrierte<br />

Intensität des simulierten Freiflugs beider Zustände. Die gestrichelte Linie in (b) bei<br />

Emax = 0, 65 kV/cm markiert die Position eines potentiellen Übergangs [71].<br />

timalen guiding-Peaks ist in Abb. 5.6 für lfs OH und hfs OH gezeigt. Während das<br />

Signal für lfs OH kontinuierlich mit UB zunimmt, ergibt sich für hfs OH ein steiler

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!