materiales cerámicos. síntesis y procesado - Universidad ...

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VIII Congreso Nacional de
Materiales - Valencia 2004
009 Silicio híbrido dopado preparado por PECVD
L. Urbina, J. Cárabe y JJ. Gandía
Avda. Complutense nº 22, CIEMAT, 28040 MADRID
El desarrollo de semiconductores en lámina delgada para aplicaciones fotovoltaicas es un campo de elevado interés por su potencial de
reducción de costes. La enorme versatilidad de la tecnología de silicio en lámina delgada permite controlar las propiedades del material
para obtener tanto absorbentes como emisores de células solares. La línea de investigación del CIEMAT en dispositivos de silicio
aborda, entre otros, el desarrollo de una forma de silicio depositado llamada silicio híbrido y su aplicación tanto a células de heterounión
como a células p-i-n de silicio en lámina delgada. La combinación de una baja energía de activación de la conductividad en estados
extendidos (por debajo de 0.1 eV) y de un gap elevado (del orden de 2 eV o más), hacen del silicio híbrido un material ideal como
emisor n o p de cualquiera de estos dos tipos de dispositivos fotovoltaicos. El propósito del presente trabajo es clarificar cuáles son los
parámetros clave en el depósito de láminas de h-Si:H por medio de PECVD convencional, de modo que sea fácil reproducir en un
reactor un silicio híbrido desarrollado en otra máquina.
072 Preparación de láminas ultrafinas por métodos químicos de depósito de disoluciones con composiciones
basadas en el titanato de plomo
J. Ricote, M.L. Calzada
Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid. CSIC. 28049 Madrid.
Uno de los principales retos que presenta la adaptación a la escala nanométrica de los dispositivos electromecánicos es la elección de
un elemento transductor adecuado. En estas escalas de tamaño tanto la transducción electrostática como por métodos ópticos
presentan graves dificultades, mientras que la transducción piezoeléctrica escala bien en las dimensiones nanométricas y es
potencialmente utilizable en los nuevos sistemas nanoelectromecánicos (NEMS, del inglés Nanoelectromechanical Systems). Para ello
se necesitan optimizar los métodos de preparación de láminas piezoeléctricas ultrafinas (espesores inferiores a 100 nm) que se puedan
integrar en dichos dispositivos.
Los métodos químicos de depósito de disoluciones (CSD, del inglés Chemical Solution Deposition) presentan claras ventajas en la
preparación de láminas delgadas, tales como el control estequiométrico y microestructural, siendo posible la preparación de láminas
extensas de calidad con espesores de hasta 13 nm [1]. Sin embargo, la formación de "islas" tras la cristalización de la lámina observada
en estos sistemas [2] limita la continuidad del recubrimiento. En este trabajo abordamos la tarea de preparar láminas ultrafinas de
titanatos de plomo con diferentes espesores por medio del control de las propiedades reológicas de las disoluciones precursoras, con el
fin de determinar las condiciones óptimas para producir láminas continuas de los menores espesores posibles. El control del espesor se
hace por medio de reflectividad de rayos X y las propiedades piezoeléctricas de las láminas se determinan con un microscopio de
fuerzas usando el denominado modo de piezorespuesta [3].
211 Caracterización óptica de películas de silicio de espesor controlado e índice refracción contrastado
J.Pérez Sellés, V. Cabrera, P. Velásquez b , C.R. Mateo a y R. Mallavia a
a) Instituto de Biología Molecular y Celular, Universidad Miguel Hernández, 03202Elche, Spain
b) Departamento de Materiales, Universidad Miguel Hernández, 03202 Elche, Spain
Se ha caracterizado dos tipos de materiales obtenidos a partir de la hidrólisis de ortosilicato de tetraetilo (TEOS) y se ha obtenido
películas delgadas de espesor controlado. Para ello, se ha construido y puesto a punto un multidepositador por inmersión. Se ha
encontrado que el grosor de la película depende de la velocidad de retirada y de la viscosidad del material como predice la teoría de
Landau. Además, es posible obtener películas de índice de refracción contrastado modificando las condiciones experimentales
basificando antes de la deposición.
219 Fabricación de grandes áreas de membranas de óxido anódico de aluminio con porosidad ordenada para
implementación en VOI
Emilio Rayón, Ester Pastor, Carlos Ferrer, Vitali Parkhutik
Departamento de Ingeniería Mecánica y Materiales, Universidad Politecnica de Valencia, Cami de Vera, s/n 46022 Valencia
Desde que Masuda propusiera el método de fabricación de membranas de óxido anódico de aluminio con porosidad ordenada,
mediante la anodización de aluminio puro bajo condiciones especiales, existe un interés creciente sobre este material y sus
aplicaciones, como en cristales fotónicos, biofiltros, nanotubos, almacenamiento magnético, células solares, filtros, etc. En este trabajo,
nuestro grupo ha fabricado membranas de 7cm 2 de óxido anódico, que posteriormente se implementarán en dispositivos de ventanas
ópticas inteligentes como nueva aplicación de este material.