materiales cerámicos. síntesis y procesado - Universidad ...

66
VIII Congreso Nacional de
Materiales - Valencia 2004
an increase in the resistivity of the films and changes in the film texture in absence of phase transformations. In order to explain the
correlation of these changes with the defect structure of the films a deeper analysis of the role of the oxygen vacancies, which are the
native donors of the oxide, annealing in oxygen atmosphere has been also carried out. Remote Electron Beam Induced Current (REBIC)
measurements are used to characterize the formation of a potential barrier at the grain boundaries of oxygen treated samples.
142 Preparación y caracterización de Diodos Schottky de n-GaAS(100)/Bi obtenidos por electrodeposición
E.A. Dalchiele a , L. Martinez b , D. Leinen b , F. Martín b , Mª C. López b y J.R. Ramos-Barrado b
a) Instituto de Física. Facultad de Ingeniería, Herrera y Resing 565, CC 30, 11000 Montevideo, Uruguay
b) Laboratorio de Materiales y Superficie (Unidad Asociada al CSIC). Departamentos de Física Aplicada e Ingeniería Química. Facultad
de Ciencias. Universidad de Málaga. E2091 Málaga (España).
Se han caracterizado diodos Schottky n-GaAs(100)/Bi, obtenidos por electrodeposición, por CV y espectroscopia de admitancias. La
capa de Bi se ha estudiado por XRD, presentando estructura romboédrica sin orientación preferente y con tamaño medio de cristalitos
de 650 Å. La unión, estudiada entre 90K y 200K, presenta un comportamiento típico de Schottky con una altura de barrera de 0.85 eV a
173 K y una densidad de portadores tipo n de 3.8x10 16 cm -3 . La sección eficaz de captura de las trampas, proporcionales a T -2 con una
energía de activación de 33 meV, y la densidad de estado en la interface son determinada por espectroscopia de admitancia. Es posible
un pinning del nivel de Fermi aproximadamente a la mitad del band gap.
224 Caracterización óptica de láminas delgadas de ZnO elaboradas mediante deposición por láser pulsado
B. María , M. A. Hernàndeza , M. Mollara , J.A. Sansb , A. Segurab a) Departament de Física Aplicada. Universitat Politècnica de València. Camí de Vera s/n, 46022-València
b) Institut de Ciència de Materials-Dep. Física Aplicada. Universitat de València. 46100-Burjassot, València
El semiconductor óxido de zinc (ZnO) es un material versátil que está atrayendo cada vez más atención debido a sus propiedades
catalíticas, ópticas y eléctricas. Las características del substrato utilizado para la elaboración de diferentes dispositivos: células solares,
láminas transparentes de protección al ultravioleta, sensores químicos y varistores y en la previsible utilización en el futuro como diodos
emisores de luz y diodos láser en la zona del ultravioleta, son determinantes en el posterior rendimiento del mismo. En el presente
trabajo se analizan las características de láminas delgadas, de aproximadamente 150 nm de espesor, obtenidas mediante la técnica de
ablación láser pulsado (PLD) sobre diferentes tipos de substratos (mica, fluorita y zafiro). Para dicho análisis se han utilizado técnicas de
espectroscopia óptica de absorción, fotoluminiscencia y microscopía de fuerza atómica.
056 Electrical Characteristics of ZnO nanobelt based varistors for Medium Voltage Arresters
B. G. Rolón*, F. Ireta.
Facultad de Ingeniería Mecánica Eléctrica y Electrónica de la Universidad de Guanajuato
Ave. Tampico 912 Col. Bellavista C.P 36730. Salamanca Guanajuato, México
The ZnO varistors showing highly non-Ohmic current (I)- voltage (V) characteristics are proven to have excellent properties in the field of
surge protection against transient voltage. This work presents the results of the electrical characteristics of varistors made with a
technique that allows to get ZnO nanobelts the single crystalline structurally controlled. The micro-structural characteristics were
analysed across the volume of the varistor blocks in order to evaluate their micro-structural homogeneity and electrical properties.
052 Caracterización estructural y óptica de pozos cuánticos de GaInNAs/GaAs(001)
M. Herreraa , D. Gonzáleza and R. Garcíaa , M.Hopkinsonb , P.Navarettib , M. Gutiérrezb and H.Y.Liub (a)Departamento de Ciencia de los Materiales e I.M. y Q.I., Universidad de Cádiz,
Apartado 40, 11510 Puerto Real, Cádiz, Spain.
(b)Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield,
Mapping Street, Sheffield S1 3JD, United Kingdom
Este trabajo se enfoca al estudio de las propiedades estructurales y ópticas de pozos cuánticos de GaInNAs/GaAs(001) con contenidos
de In y de N en el rango 0.20-0.35 y 0.013-0.023, respectivamente, mediante Microscopía Electrónica de Transmisión y
Fotoluminiscencia. Se ha observado un cambio en la morfología de los pozos al aumentar el contenido de In de 20 a 25%, pasando de
planos a ondulados. Este cambio de morfología viene acompañado de la formación de lazos de dislocación de Frank extrínsecos, cuyo
origen podría estar en una acumulación local de tensiones. El espectro de PL ha mostrado intensos picos de emisión para ambas
muestras (con y sin lazos de dislocación), por lo que la aparición de estos defectos parece no afectar a las propiedades ópticas de
sistema. Al aumentar el contenido de In hasta 35%, se ha observado la aparición de dislocaciones de propagación, cuya formación
podría ser debida al desfallamiento de los lazos de dislocación, por reacción con dos parciales de Shockley.