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64 VIII Congreso Nacional de Materiales - Valencia 2004 009 Silicio híbrido dopado preparado por PECVD L. Urbina, J. Cárabe y JJ. Gandía Avda. Complutense nº 22, CIEMAT, 28040 MADRID El desarrollo de semiconductores en lámina delgada para aplicaciones fotovoltaicas es un campo de elevado interés por su potencial de reducción de costes. La enorme versatilidad de la tecnología de silicio en lámina delgada permite controlar las propiedades del material para obtener tanto absorbentes como emisores de células solares. La línea de investigación del CIEMAT en dispositivos de silicio aborda, entre otros, el desarrollo de una forma de silicio depositado llamada silicio híbrido y su aplicación tanto a células de heterounión como a células p-i-n de silicio en lámina delgada. La combinación de una baja energía de activación de la conductividad en estados extendidos (por debajo de 0.1 eV) y de un gap elevado (del orden de 2 eV o más), hacen del silicio híbrido un material ideal como emisor n o p de cualquiera de estos dos tipos de dispositivos fotovoltaicos. El propósito del presente trabajo es clarificar cuáles son los parámetros clave en el depósito de láminas de h-Si:H por medio de PECVD convencional, de modo que sea fácil reproducir en un reactor un silicio híbrido desarrollado en otra máquina. 072 Preparación de láminas ultrafinas por métodos químicos de depósito de disoluciones con composiciones basadas en el titanato de plomo J. Ricote, M.L. Calzada Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid. CSIC. 28049 Madrid. Uno de los principales retos que presenta la adaptación a la escala nanométrica de los dispositivos electromecánicos es la elección de un elemento transductor adecuado. En estas escalas de tamaño tanto la transducción electrostática como por métodos ópticos presentan graves dificultades, mientras que la transducción piezoeléctrica escala bien en las dimensiones nanométricas y es potencialmente utilizable en los nuevos sistemas nanoelectromecánicos (NEMS, del inglés Nanoelectromechanical Systems). Para ello se necesitan optimizar los métodos de preparación de láminas piezoeléctricas ultrafinas (espesores inferiores a 100 nm) que se puedan integrar en dichos dispositivos. Los métodos químicos de depósito de disoluciones (CSD, del inglés Chemical Solution Deposition) presentan claras ventajas en la preparación de láminas delgadas, tales como el control estequiométrico y microestructural, siendo posible la preparación de láminas extensas de calidad con espesores de hasta 13 nm [1]. Sin embargo, la formación de "islas" tras la cristalización de la lámina observada en estos sistemas [2] limita la continuidad del recubrimiento. En este trabajo abordamos la tarea de preparar láminas ultrafinas de titanatos de plomo con diferentes espesores por medio del control de las propiedades reológicas de las disoluciones precursoras, con el fin de determinar las condiciones óptimas para producir láminas continuas de los menores espesores posibles. El control del espesor se hace por medio de reflectividad de rayos X y las propiedades piezoeléctricas de las láminas se determinan con un microscopio de fuerzas usando el denominado modo de piezorespuesta [3]. 211 Caracterización óptica de películas de silicio de espesor controlado e índice refracción contrastado J.Pérez Sellés, V. Cabrera, P. Velásquez b , C.R. Mateo a y R. Mallavia a a) Instituto de Biología Molecular y Celular, Universidad Miguel Hernández, 03202Elche, Spain b) Departamento de Materiales, Universidad Miguel Hernández, 03202 Elche, Spain Se ha caracterizado dos tipos de materiales obtenidos a partir de la hidrólisis de ortosilicato de tetraetilo (TEOS) y se ha obtenido películas delgadas de espesor controlado. Para ello, se ha construido y puesto a punto un multidepositador por inmersión. Se ha encontrado que el grosor de la película depende de la velocidad de retirada y de la viscosidad del material como predice la teoría de Landau. Además, es posible obtener películas de índice de refracción contrastado modificando las condiciones experimentales basificando antes de la deposición. 219 Fabricación de grandes áreas de membranas de óxido anódico de aluminio con porosidad ordenada para implementación en VOI Emilio Rayón, Ester Pastor, Carlos Ferrer, Vitali Parkhutik Departamento de Ingeniería Mecánica y Materiales, Universidad Politecnica de Valencia, Cami de Vera, s/n 46022 Valencia Desde que Masuda propusiera el método de fabricación de membranas de óxido anódico de aluminio con porosidad ordenada, mediante la anodización de aluminio puro bajo condiciones especiales, existe un interés creciente sobre este material y sus aplicaciones, como en cristales fotónicos, biofiltros, nanotubos, almacenamiento magnético, células solares, filtros, etc. En este trabajo, nuestro grupo ha fabricado membranas de 7cm 2 de óxido anódico, que posteriormente se implementarán en dispositivos de ventanas ópticas inteligentes como nueva aplicación de este material.
VIII Congreso Nacional de Materiales - Valencia 2004 117 Interfacial pattern of misfit dislocation interacting with both iterfaces of a thin multilayers crystal By OUTTAS Toufik Mechanical Engineering Departement, Faculty of Engineering Sciences, University of Batna. Rue Chahid Boukhlouf Med ElHadi, CP 05000- Batna - Algeria The elastic field, of a thin multilayers crystal with parallel faces when one of the interfaces between three layers anisotropic crystal components is parallel and is composed of a biperiodic pattern of defects is numerically computed , using a double Fourier series method, an explicit formulation of each harmonic term of series is derived that depends explicitly on the anisotropic elasticity coefficients and thickness of each crystal. Application is made to the particular case of intrinsic dislocation meshes using a GaAs/InAs/(111)GaAs related system by a regular array of misfit dislocations at the interface x2=0 , cf.[1] and [2], to determine stress distribution near the core or triple node of dislocation cell. 166 Preparación de láminas delgadas de sulfuros metálicos para aplicaciones termoeléctricas A.Pascual, P. Díaz-Chao, J.R. Ares, I.J. Ferrer, C. Sánchez Dpto. de Física de Materiales, C-IV, Universidad Autónoma de Madrid, Cantoblanco, 24049- Madrid. El objetivo final del trabajo que se presenta es la obtención de películas delgadas de sulfuros metálicos con propiedades termoeléctricas. Dichas películas se han depositado a partir de la sulfuración, en atmósfera controlada de azufre, de películas metálicas evaporadas térmicamente sobre substratos de vidrio. Los metales que se han utilizado son Ni, Co, Fe, y Pd, obteniéndose los correspondientes sulfuros (NiS2, CoS2, FeS2 y PdS). La identificación de las películas se realiza mediante Análisis de Energías Dispersivas (EDS) y por Difracción de rayos X de las mismas (DRX), de este modo se conoce su composición química y su estructura cristalina. La caracterización termoeléctrica se realiza a través de la medida del coeficiente termoeléctrico (S) y la conductividad de la muestra (σ), a partir de los cuales se obtiene el factor de potencia termoeléctrico, S 2 σ. Este factor nos da una idea sobre la capacidad termoeléctrica de un material. Los resultados obtenidos muestran que las películas de CoS2 y PdS tienen un factor de potencia del mismo orden de magnitud que algunos materiales propuestos para ser utilizados en aplicaciones termoeléctricas (1). Sin embargo, las películas de FeS2 y NiS2 muestran valores mucho más bajos (dos y tres órdenes de magnitud, respectivamente). Por último, se mostrarán los resultados obtenidos mediante el dopaje de las películas con otro metal (Ti, Co,..). En concreto, las películas de FeS2 dopadas con Titanio muestran valores del factor de potencia termoeléctrico 70 veces mayores que las muestras sin dopar. SEMICONDUCTORES Y NANOMATERIALES FUNCIONALES 125 Local structure of ion-assisted deposited GaN films studied by transmission X-ray absorption fine structure M.J. Arizaa , A. Koob , H.J. Trodahlb , D.J. Jonesc , J. Rozièrec a) Grupo de Física de Fluidos Complejos, Departamento de Física Aplicada, Universidad de Almería, 04120 Almería, Spain b) School of Chemical and Physical Sciences, Victoria University of Wellington, P.O. Box 600, Wellington, New Zealand c) Laboratoire des Agrégats Moléculaires et Matériaux Inorganiques UMR CNRS 5072, Université Montpellier II, Place Eugène Bataillon, F-34095 Montpellier Cédex 5, France Recently, amorphous and nanocrystalline GaN thin films have been prepared by ion-assisted deposition in the research group of Victoria University of Wellington. In this work, we study three GaN films on a Mylar substrate by X-ray absorption fine structure (XAFS) at Ga Kedge recorded in the transmission experimental mode. A reference polycrystalline GaN sample with wurtzite structure is also studied. The first and second shells of neighbouring atoms are clearly identified in the modulus of the pseudo radial distribution function. The former consists of four nitrogen atoms at approximately 1.93 Å and the latter of twelve gallium atoms at 3.18 Å. The intensity of the second shell peak increases as the film is thicker, which indicates a narrower distribution of Ga-Ga interatomic distances. Thicker GaN films are then more locally ordered. Structural parameters are compared with those obtained from total electron yield XAFS of GaN films on silicon substrates. 183 Luminescence and EBIC study of defects in ceramic tin oxide D. Maestre, A.Cremades and J. Piqueras Departamento de Física de Materiales, Facultad de Ciencias Físicas, Universidad Complutense de Madrid, 28040 Madrid, España. Mechanical ball milling has been used to produce nanocrystalline structures in SnO2 and to investigate the influence of the presence of nanocrystals on the Cathodoluminescence (CL) emission, morphology, structure and electrical properties of the samples. An abrupt change from nanocrystalline to microcrystalline structured samples is observed to take place for sintering temperatures between 1200 ºC and 1300 ºC in air and argon atmospheres. For higher temperatures up to 1500 ºC, crystals, micro-, nanotubes and microbelts of SnO2 are obtained. This change is accompanied by a partial quenching of the CL in the blue and in the orange-red range as well as by 65
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