Untitled - KRRI 전자도서관
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(a) (b)<br />
Target<br />
Carbon(C)+Metal<br />
Metal=W,Mo,Cr,N<br />
i<br />
- 76 -<br />
Target<br />
Carbon(C)+Metal<br />
Metal=W<br />
Substrate Si wafer Substrate Si wafer<br />
T-S distance (cm) 9 T-S distance (cm) 9<br />
RF power (W)<br />
Carbon:150,<br />
Metal:40<br />
RF power (W)<br />
Carbon:150,<br />
Metal:20~50<br />
Ar gas (sccm) 40 Ar gas (sccm) 40<br />
Rotation (rpm) 28.3 Rotation (rpm) 28.3<br />
Based pressure<br />
(Torr)<br />
Working pressure<br />
(Torr)<br />
Film Thickness<br />
(nm)<br />
표 17. 나노금속이 포한된 탄소레이어 증착공정변수<br />
1x10 -5<br />
10 m<br />
100<br />
Based pressure<br />
(Torr)<br />
Working pressure<br />
(Torr)<br />
Film Thickness<br />
(nm)<br />
2. 나노 입자의 크기와 밀도에 따른 탄소레이어 특성 기초 연구<br />
가. 나노금속의 크기에 따른 탄소레이어의 특성분석<br />
1x10 -5<br />
10 m<br />
100 nm 두께로 증착된 나노금속이 함유된 탄소레이어의 미세이미지를 확인하기 위해<br />
FE-SEM 분석장비로 단면/표면 분석을 실시하였다. 그림 47에 (d) Ni-C의 표면 입자가<br />
상대적으로 다른 물질에 비해 적은 것으로 확인되었다.<br />
제작한 시편의 탄소레이어에 함유된 나노금속의 성분량을 측정하기 위해 EDS 분석을<br />
실시하였으며 같은 공정으로 증착하였으나 그림 50과 같이 각 물질별로 성분량이 다르며<br />
100
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