MODELAGEM TENSORIAL DE SVC E TCSC NO DOMÍNIO s PARA ...

4.2 Modelagem do Sistema Reator Controlado a Tiristor e Capacitor Paralelo
Nas aplicações do reator controlado a tiristor no compensador estático de reativos
(SVC) e no reator série controlado a tiristor (TCSC), este aparece associado em paralelo
a um banco de capacitores fixo ou manobrável. Esta seção aborda a modelagem do
circuito básico composto pelo reator controlado a tiristores associado ao capacitor
paralelo apresentado na Figura 3.1.1 e repetido na Figura 4.2.1.
Figura 4.2.1 – Reator controlado a tiristores e capacitor paralelo.
As equações que descrevem o comportamento do sistema apresentado na Figura 4.2.1
em função da tensão aplicada v tcr e da função de chaveamento q são dadas por:
C
dv
dt
tcr
= i − i , (4.2.1)
l
tcr
di
( α, θ
pll
, σ t) vtcr
tcr
L ,
dt
= q
, (4.2.2)
onde a função de chaveamento q, é uma função do tempo, que pode ser 1 ou 0,
dependendo do estado de condução dos tiristores a cada instante. O estado de condução
dos tiristores depende do ângulo de disparo (α), do ângulo de condução (σ) e do ângulo
de referência (θ pll ) que são funções do tempo.
A equação (4.2.1) é linear e invariante no tempo, logo esta equação pode ser escrita em
função dos fasores dinâmicos na freqüência fundamental apresentados na seção anterior.
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