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Oxidation von Eisenschichten auf MgO(001)-Substraten - Universität ...

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2.1 Photoelektronenspektroskopie 2. Theoretische Grundlagen<br />

und den Analysator sind in Abschnitt 4.1 zusammengefasst.<br />

2.1.1 Effekte in der Photoelektronenspektroskopie<br />

Während einer XPS-Messung können einige Effekte <strong>auf</strong>treten, die man berücksichtigen muss,<br />

um die Messergebnisse korrekt auszuwerten. In diesem Abschnitt werden die typischen Effekte<br />

während einer XPS-Messung vorgestellt und ihr Ursprung erläutert.<br />

2.1.1.1 Chemische Verschiebung<br />

Wenn Atome durch die Wechselwirkung ihrer Valenzelektronen eine Verbindung eingehen,<br />

führt das zu einer Änderung in der chemischen Umgebung der Atome und es ändert sich das<br />

elektrische Potential. Das hat zur Folge, dass sich die Bindungsenergie EB,eff der Elektronen<br />

ändert. Dies gilt nicht nur für die Valenzelektronen, sondern auch für die kernnahen Elektronen.<br />

EB,eff ändert sich auch bei der Ionisation eines Atoms bzw. der Erhöhung seiner Valenz.<br />

Deshalb erhält man für das gleiche Element abhängig <strong>von</strong> seiner chemischen Umgebung unterschiedliche<br />

Bindungsenergien. Die Änderung der Bindungsenergie kann gemessen werden<br />

und liefert Information über die chemische Bindung eines Atoms. Um die Änderung der<br />

Bindungsnergie zu bestimmen, werden Bindungsenergien EB,ref aus Referenzmessungen <strong>von</strong><br />

bekannten Verbindungen verwendet. Die Differenz aus den gemessenen Werten <strong>von</strong> EB,eff<br />

und den zugehörigen Referenzwerten EB,ref ergibt den Wert für die chemische Verschiebung<br />

∆EShift. Die chemische Verschiebung wird gemäß der englischen Übersetzung auch als Chemical<br />

Shift bezeichnet.<br />

Eine Möglichkeit, die chemische Verschiebung theoretisch zu beschreiben ist das Charge-<br />

Potential-Model. Dieses Model nimmt an, dass die effektive Bindungsenergie EB,eff <strong>von</strong><br />

Potentialen abhängt, die <strong>von</strong> den Valenzelektronen des betrachteten Atoms und den umgebenden<br />

Elektronen erzeugt werden. Demnach gilt für EB,eff<br />

EB,eff = EB + ∆(Echem + EMad) . (2.4)<br />

Dabei stellt ∆Echem den Einfluss der Valenzelektronen des Atoms <strong>auf</strong> die Bindungsenergien<br />

der Rumpfelektronen mit Echem = KqA dar. K gibt die Wechselwirkung zwischen Valenzelektronen<br />

und kernnahen Elektronen an. Die Verschiebung bezüglich eines Referenzzustandes<br />

wird als qA bezeichnet. EMad steht für den Madlung-Term. Dieser summiert den Einfluss<br />

aller Potenziale der umgebenen Atome im Volumenkristall wie folgt <strong>auf</strong><br />

∆EMad = �<br />

qB<br />

RAB<br />

B�=A<br />

Die chemische Verschiebung lässt sich berechnen zu:<br />

EB,eff = EB,Atom + KqA + �<br />

. (2.5)<br />

qB<br />

RAB<br />

B�=A<br />

. (2.6)<br />

Anhand des Moleküls Trifluoressigsäureethylester in Abbildung 2.3 kann der Effekt der chemischen<br />

Verschiebung gut veranschaulicht werden. Es ist zu erkennen, dass dieses Molekül<br />

vier Kohlenstoffatome enthält, deren Elektronen des 1s Niveaus unterschiedliche Bindungsenergien<br />

<strong>auf</strong>weisen.<br />

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