Oxidation von Eisenschichten auf MgO(001)-Substraten - Universität ...
Oxidation von Eisenschichten auf MgO(001)-Substraten - Universität ...
Oxidation von Eisenschichten auf MgO(001)-Substraten - Universität ...
Erfolgreiche ePaper selbst erstellen
Machen Sie aus Ihren PDF Publikationen ein blätterbares Flipbook mit unserer einzigartigen Google optimierten e-Paper Software.
2.1 Photoelektronenspektroskopie 2. Theoretische Grundlagen<br />
und den Analysator sind in Abschnitt 4.1 zusammengefasst.<br />
2.1.1 Effekte in der Photoelektronenspektroskopie<br />
Während einer XPS-Messung können einige Effekte <strong>auf</strong>treten, die man berücksichtigen muss,<br />
um die Messergebnisse korrekt auszuwerten. In diesem Abschnitt werden die typischen Effekte<br />
während einer XPS-Messung vorgestellt und ihr Ursprung erläutert.<br />
2.1.1.1 Chemische Verschiebung<br />
Wenn Atome durch die Wechselwirkung ihrer Valenzelektronen eine Verbindung eingehen,<br />
führt das zu einer Änderung in der chemischen Umgebung der Atome und es ändert sich das<br />
elektrische Potential. Das hat zur Folge, dass sich die Bindungsenergie EB,eff der Elektronen<br />
ändert. Dies gilt nicht nur für die Valenzelektronen, sondern auch für die kernnahen Elektronen.<br />
EB,eff ändert sich auch bei der Ionisation eines Atoms bzw. der Erhöhung seiner Valenz.<br />
Deshalb erhält man für das gleiche Element abhängig <strong>von</strong> seiner chemischen Umgebung unterschiedliche<br />
Bindungsenergien. Die Änderung der Bindungsenergie kann gemessen werden<br />
und liefert Information über die chemische Bindung eines Atoms. Um die Änderung der<br />
Bindungsnergie zu bestimmen, werden Bindungsenergien EB,ref aus Referenzmessungen <strong>von</strong><br />
bekannten Verbindungen verwendet. Die Differenz aus den gemessenen Werten <strong>von</strong> EB,eff<br />
und den zugehörigen Referenzwerten EB,ref ergibt den Wert für die chemische Verschiebung<br />
∆EShift. Die chemische Verschiebung wird gemäß der englischen Übersetzung auch als Chemical<br />
Shift bezeichnet.<br />
Eine Möglichkeit, die chemische Verschiebung theoretisch zu beschreiben ist das Charge-<br />
Potential-Model. Dieses Model nimmt an, dass die effektive Bindungsenergie EB,eff <strong>von</strong><br />
Potentialen abhängt, die <strong>von</strong> den Valenzelektronen des betrachteten Atoms und den umgebenden<br />
Elektronen erzeugt werden. Demnach gilt für EB,eff<br />
EB,eff = EB + ∆(Echem + EMad) . (2.4)<br />
Dabei stellt ∆Echem den Einfluss der Valenzelektronen des Atoms <strong>auf</strong> die Bindungsenergien<br />
der Rumpfelektronen mit Echem = KqA dar. K gibt die Wechselwirkung zwischen Valenzelektronen<br />
und kernnahen Elektronen an. Die Verschiebung bezüglich eines Referenzzustandes<br />
wird als qA bezeichnet. EMad steht für den Madlung-Term. Dieser summiert den Einfluss<br />
aller Potenziale der umgebenen Atome im Volumenkristall wie folgt <strong>auf</strong><br />
∆EMad = �<br />
qB<br />
RAB<br />
B�=A<br />
Die chemische Verschiebung lässt sich berechnen zu:<br />
EB,eff = EB,Atom + KqA + �<br />
. (2.5)<br />
qB<br />
RAB<br />
B�=A<br />
. (2.6)<br />
Anhand des Moleküls Trifluoressigsäureethylester in Abbildung 2.3 kann der Effekt der chemischen<br />
Verschiebung gut veranschaulicht werden. Es ist zu erkennen, dass dieses Molekül<br />
vier Kohlenstoffatome enthält, deren Elektronen des 1s Niveaus unterschiedliche Bindungsenergien<br />
<strong>auf</strong>weisen.<br />
5