SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 143Obr. 79Postup výroby invertoru CMOS – dokončeníV první operaci jsou vybrány desky z hlediska rovinnosti a měrného odporu, tento abyvšechny desky ve zpracovávaném oběžníku (skupina desek, která se zpracovává současně),kterých bývá 20 až 25, měly malý rozptyl počátečních parametrů. Následuje tzv. nultáoxidace (Obr. 78.1), při které se zoxiduje asi 300 nm křemíku a odstraní se tím případnémechanické pnutí či jemná poškrábání. Po odleptání tohoto oxidu v HF a NH 4 F je provedenomytí (zaručuje vysokou čistotu, protože se používá také před oxidací pro hradlo, nazývá semytí hradlové). Na Obr. 78.2 je situace po operaci maskovací oxidace, při které je v prostředíN 2 + O 2 + HCL (tzv. suchý oxid s chlorovodíkem) povrch desek zoxidován až do tlouštěkkolem 150 nm. Následuje 1. maskovací operace, při které jsou v maskovacím oxidu odkrytéoblasti budoucí jámy. V dalším kroku se provede implantace jámy (Obr. 78.3) borem astandardní operace odstranění rezistu. Desátou operací je rozdifundování jámy (Obr. 78.4).Tato operace spolu s implantací je podstatná pro velikost prahového napětí, které je mimo jinédané úrovní dotace v kanálu tranzistoru.Při rozdifundování implantované oblasti do jámy probíhá v oblasti jámy částečně ioxidace o tloušťce oxidu asi 300 nm. Vzniklý oxid je zcela odleptán, desky jsou standardněomyty a je provedena oxidace krycího (podložního) oxidu o tloušťce 70 nm. Posláním tohotooxidu je vytvořit oddělovací vrstvu mezi křemíkovou deskou a nitridovou vrstvou (Si 3 N 4 ),která je deponována v další operaci za účelem vymezení tzv. aktivních oblastí. Při depozicinitridu přímo na povrch Si desky dochází v důsledku různé tepelné roztažnost Si 3 N 4 a Si přivysokoteplotním zpracování k pnutí a k porušování monokrystalické struktury Si tvorboudislokací. Při malých tloušťkách podložního oxidu jsou tendence ke vzniku poruch a na druhéstraně je-li tento oxid příliš tlustý, vytvoří se při lokální oxidaci, která bude následovat,značně široká přechodová oblast mezi aktivní oblastí a tzv. polní oblastí s tlustým oxidem.Nedefinovanost přechodové oblasti je omezujícím faktorem při určování vzdálenosti mezijednotlivými tranzistory.Následuje operace X15 - depozice vysokoteplotního oxidu (High Temperature Oxide -HTO), která je pouze alternativní a je zařazována jen při sledování vlivu této vrstvy nazvýšení výtěžnosti. Zařazuje se proto, aby byly zaručeny maskovací vlastnosti v oblasti