SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

More documents

Recommendations

Info

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 475.1.2 Layout rezistorůObr. 13 Vliv výrobního procesu na odpor podle šířky polygonuExistují techniky návrhu topologie rezistoru, které umožňují minimalizovat vlivvýrobních procesů na jeho hodnotu v rámci čipu.Obr. 14 Layout struktury rezistoruPrvní rezistor na Obr. 14 není vhodným příkladem dobré topologie. Jeho tvar sestává zneregulárních prvků a na některých místech používá také příliš úzké polygony. Ačkoli tento„styl“ není zakázán, vliv na hodnotu rezistoru vlivem výrobních odchylek bude značný ahlavně těžko „odhadnutelný“. Mnohem lepší výsledky nabízí typ topologie zvaný „dog bone“nebo meandr („serpentine“).Zásady:-struktura by měla být sestavena z částí stejné šířky-tloušťka elementu aspoň 2x min rozměr
48 FEKT Vysokého učení technického v Brně-elementy rezistoru by měli mít pokud možnost stejnou orientaci-používat „dummy“ elementy. Jejich význam tkví v omezení vlivu výrobního procesu našířku aktivních částí rezistoru.Z hlediska efektivnosti ve využití plochy je lepší „serpentine“, ale co se týče lepšíchomezení vlivu výrobního procesu na rezistor, lepších výsledků dosahuje „dog bone“.Víme také, že teplota má velký vliv na rezistivitu difúzních vrstev. Teplotní koeficientmůže být významný; může dosahovat až 0,5-1%/°C. Tato vlastnost může mít velký vliv navýslednou hodnotu rezistoru. Takto velká závislost na teplotě může zapůsobit negativně i narezistory na jednom čipu. Pokud implementovaný obvod obsahuje výkonový prvek, tentovyzařuje teplo a způsobuje teplotní gradient na čipu. Průměrná teplota rezistorů se můžepotom značně odlišovat. Je nutné taképřipomenout, že tepelné vyzařování nenírovnoměrné. Z tohoto důvodu jedoporučováno navrhovat topografiivýkonových součástek jako symetrickou acitlivé části obvodu této situacipřizpůsobit.POZN.Matching a přesnost rezistorů vytvořenýchdifúzními vrstvami je lepší než u polySi. Aleje mnohem jednodušší a i efektivnější chránitpřed šumem odporové struktury vytvořenéz polySiVelmi často je důležitější z hlediska obvodové funkčnosti důležitější matching dvourezistorů (nebo poměrů jejich absolutních hodnot) než jejich absolutní přesnost. Toto platízejména v případech napěťových referencí, D/A nebo A/D převodníků, zesilovačů apod.V tomto případě je potřeba mít pod kontrolou nebo spíše umět vykompenzovat možné typytechnologických gradientů, které mohou tuto shodnost narušit.Jedním ze základních příkladů kompenzace gradientů je využití prokládání prvků(interdigitized layout) nebo středově symetrická topografie (common centroidlayout).Podívejme se na Obr. 15. Dva rezistory (shodná velikost) jsou rozděleny do pětistejně velkých částí pospojovaných mezi sebou metalovou vrstvou. Na obou stranáchvýsledné struktury jsou tzv. dummy prvky (mají za úkol minimalizovat vliv laterálníhopodleptání na krajní elementy rezistorů.
Page 1 and 2: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
Page 3 and 4: 2 FEKT Vysokého učení technické
Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
Page 47: 46 FEKT Vysokého učení technick
Page 99 and 100:
98 FEKT Vysokého učení technick
Page 101 and 102:
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
show all

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ­ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›