SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

More documents

Recommendations

Info

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 5Seznam obrázkůOBR. 1 ŘEZ NMOS STRUKTUROU A SCHEMATICKÁ ZNAČKA ....................................................11OBR. 2 POHLED NA NMOS STRUKTURU – PRINCIP....................................................................12OBR. 3 OBVODOVÝ MODEL MOS TRANZISTORU PRO OBLAST VELKÝCH SIGNÁLŮ ....................25OBR. 4 TECHNOLOGIE POLYSI HRADLA.....................................................................................30OBR. 5 SDÍLEJTE AKTIVNÍ DIFÚZNÍ OBLASTI MOS TRANZISTORŮ..............................................38OBR. 6 SPRÁVNÉ KONTAKTOVÁNÍ MOS TRANZISTORU.............................................................39OBR. 7 ŠIROKÝMOS TRANZISTOR – SPRÁVNÝ LAYOUT ............................................................41OBR. 8 MOS TRANZISTOR – CHYBY V LAYOUTU .......................................................................42OBR. 9 REZISTOR TVOŘENÝ DIFÚZNÍ OBLASTÍ N+.....................................................................44OBR. 10 DVĚ REALIZACE POLYSI REZISTORU A) SE SALICIDNÍ VRSTVOU B) BEZ NÍ....................44OBR. 11 ŘEZ STRUKTUROU POLYSI REZISTORŮ.........................................................................45OBR. 12 ROZPTYL HODNOT R NA RŮZNÝCH ČIPECH V RÁMCI JEDNOHO WAFFERU.....................46OBR. 13 VLIV VÝROBNÍHO PROCESU NA ODPOR PODLE ŠÍŘKY POLYGONU.................................47OBR. 14 LAYOUT STRUKTURY REZISTORU.................................................................................47OBR. 15 METODY MINIMALIZACE VLIVU VÝROBNÍHO PROCESU POMOCÍ LAYOUTU: A)PROKLÁDÁNÍ PRVKŮ B) STŘEDOVĚ SYMETRICKÁ TOPOGRAFIE...........................................49OBR. 16 LAYOUT REZISTORU S NAKONTAKTOVANÝM OCHRANNÝM PRSTENCEM......................49OBR. 17 KAPACITOR POLYSI-POLYSI2 ......................................................................................50OBR. 18 VYUŽITÍ STANDARTNÍ BUŇKY KAPACITORU JAKO BLOKOVACÍ KAPCITY......................51OBR. 19 MODEL IDEÁLNÍHO PROUDOVÉHO ZRCADLA................................................................52OBR. 20 JEDNODUCHÉ PROUDOVÉ ZRCADLO (WIDLAR).............................................................52OBR. 21 POROVNÁNÍ STRUKTURY DVOU HRADEL A) BEZ DUMMY PRVKŮ B) S DUMMY PRVKY....55OBR. 22 SPRÁVNÝ LAYOUT JEDNODUCHÉHO PROUDOVÉHO ZRCADLA ......................................55OBR. 23 POROVNÁNÍ VÝSTUPNÍCH CHARAKTERISTIK MOS TRANZISTORŮ S KRÁTKÝM ADLOUHÝM KANÁLEM .........................................................................................................56OBR. 24 JEDNODUCHÉ PROUDOVÉ ZRCADLO – PŘÍKLAD ŘEŠENÍ................................................56OBR. 25 WILSONOVO PROUDOVÉ ZRCADLO ..............................................................................59OBR. 26 MALOSIGNÁLOVÉ NÁHRADNÍ ZAPOJENÍ.......................................................................59OBR. 27 VYLEPŠENÉ WILSONOVO PROUDOVÉ ZRCADLO...........................................................60OBR. 28 KASKODOVÉ PROUDOVÉ ZRCADLO..............................................................................61OBR. 29 LAYOUT A) MODIFIKOVANÉHO WILSONOVA ZRCADLA, B) KASKODOVÉHOPROUDOVÉHO ZRCADLA A C) COMMON-CENTROID LAYOUT KASKODOVÉHO PROUDOVÉHOZRCADLA 62OBR. 30 KASKODOVÉ PROUDOVÉ ZRCADLO – PŘÍKLAD ŘEŠENÍ.................................................63OBR. 31 MODIFIKOVANÉ KASKODOVÉ PZ.................................................................................67OBR. 32 KOMPLETNÍ SCHÉMA UPRAVENÉHO KASKODOVÉHO PROUDOVÉHO ZRCADLA..............67OBR. 33 JEDNODUCHÁ PROUDOVÁ REFERENCE .........................................................................68OBR. 34 SELF-BIASED PROUDOVÁ REFERENCE ..........................................................................69OBR. 35 GRAFICKÉ ŘEŠENÍ ROVNIC ( 6.3 ) A ( 6.4 )....................................................................70OBR. 36 STARTOVACÍ OBVOD A) STATICKÝ B) DYNAMICKÝ......................................................71OBR. 37 PROUDOVÁ REFERENCE VYUŽÍVAJÍCÍ V BE ...................................................................72OBR. 38 PROUDOVÁ REFERENCE VYUŽÍVAJÍCÍ V T .....................................................................73OBR. 39 TYPICKÝ LAYOUT TRANZISTORŮ Q1 A Q2 PRO V T BASES CURRENT REFERENCE .........74OBR. 40 NAPĚŤOVÉ DĚLIČE VYUŽÍVAJÍCÍ MOS TRANZISTORŮ..................................................76OBR. 41 NAPĚŤOVÁ REFERENCE ZALOŽENÁ NA ZAPOJENÍ TRANZISTORU V DIODOVÉMUSPOŘÁDÁNÍ......................................................................................................................78OBR. 42 DĚLIČE NAPĚTÍ – PŘÍKLAD ŘEŠENÍ...............................................................................78OBR. 43 NAPĚŤOVÁ REFERENCE VYUŽÍVAJÍCÍ NÁSOBENÍ V BE ...................................................82
6 FEKT Vysokého učení technického v BrněOBR. 44 NAPĚŤOVÁ REFERENCE ODVOZENÁ OD TEPLOTNÍHO NAPĚTÍ....................................... 82OBR. 45 NAPĚŤOVÁ REFERENCE ODVOZENÁ Z ROZDÍLU MEZI PRAHOVÝMI NAPĚTÍMI............... 83OBR. 46 CMOS IMPLEMENTACE INVERTORU S AKTIVNÍ ZÁTĚŽÍ A) NMOS B) PMOS VSTUPNÍTRANZISTOR...................................................................................................................... 85OBR. 47 PŘEVODNÍ CHARAKTERISTIKY INVERTORU S AKTIVNÍ ZÁTĚŽÍ ..................................... 86OBR. 48 NÁHRADNÍ MALOSIGNÁLOVÉ SCHÉMA INVERTORU S AKTIVNÍ ZÁTĚŽÍ......................... 87OBR. 49 ZÁVISLOST STEJNOSMĚRNÉHO ZESÍLENÍ (DC) NA VELIKOSTI PRACOVNÍHO PROUDU.... 87OBR. 50 SCHÉMA INVERTORU S AKTIVNÍ ZÁTĚŽÍ PRO ŠUMOVOU ANALÝZU............................... 89OBR. 51 DIFERENČNÍ PÁR Z MOS TRANZISTORŮ ...................................................................... 99OBR. 52 ZJEDNODUŠENÝ MODEL DIFERENČNÍHO PÁRU ........................................................... 100OBR. 53 NAPĚŤOVÝ SLEDOVAČ............................................................................................... 101OBR. 54 NAPĚŤOVÝ POSOUVAČ NEZÁVISLÝ NA PRAHOVÉM NAPĚTÍ........................................ 103OBR. 55 NÁHRADNÍ OBVOD PRO ANALÝZU NELINEÁRNÍHO CHOVÁNÍ VÝSTUPNÍ ČÁSTI........... 105OBR. 56 NAPĚŤOVÝ SLEDOVAČ S LOKÁLNÍ ZPĚTNOU VAZBOU................................................ 105OBR. 57 MALOSIGNÁLOVÝ MODEL NAPĚŤOVÉHO SLEDOVAČE S LOKÁLNÍ ZPĚTNOU VAZBOU. 106OBR. 58 ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ DVOUSTUPŇOVÉHO OTA (VSTUPNÍ TRANZISTORY TYPU P)...... 107OBR. 59 SCHÉMA PRO ODVOZENÍ POTLAČENÍ STEJNOSMĚRNÉHO SIGNÁLU ............................. 109OBR. 60 ZDROJE OFFSETU VE DVOUSTUPŇOVÉM ZESILOVAČI ................................................. 111OBR. 61 NESHODA TRANZISTORŮ M3 A M4 ZPŮSOBUJE NÁHODNÝ OFFSET ............................ 111OBR. 62 MALOSIGNÁLOVÝ NÁHRADNÍ OBVOD DVOUSTUPŇOVÉHO OTA................................ 112OBR. 63 VYUŽITÍ NAPĚŤOVÉHO SLEDOVAČE PRO ZRUŠENÍ NULY Z PRAVÉ ČÁSTI KOMPLEXNÍROVINY 114OBR. 64 ELIMINACE NULY POMOCÍ A) NAPĚŤOVÉHO SLEDOVAČE B) ZPĚTNOVAZEBNÍ IMPEDANCE115OBR. 65 MALOSIGNÁLOVÉ NÁHRADNÍ SCHÉMA OBVODU VYUŽÍVAJÍCÍ NULOVÁNÍ NULY .......... 116OBR. 66 REALIZACE NULOVACÍHO REZISTORU POMOCÍ KOMPLEMENTÁRNÍCH TRANZISTORŮ. 116OBR. 67 SCHÉMA OTA........................................................................................................... 117OBR. 68 NULOROVÝ MODEL KONVEJORU CCI A JEHO BLOKOVÝ DIAGRAM ............................ 123OBR. 69 JEDNODUCHÁ IMPLEMENTACE KONVEJORU CCI+ V TECHNOLOGII CMOS ............... 123OBR. 70 KONVEJOR CCII VYCHÁZEJÍCÍ Z KLASICKÉHO NAPĚŤOVÉHO OPERAČNÍHO ZESILOVAČE124OBR. 71 NULOROVÝ MODEL KONVEJORU CCII A JEHO JEDNODUCHÁ IMPLEMENTACE VTECHNOLOGII CMOS ...................................................................................................... 124OBR. 72 NULOROVÝ MODEL KONVEJORU CCIII A JEDNODUCHÁ IMPLEMENTACE POMOCÍ DVOUKONVEJORŮ CCII............................................................................................................ 125OBR. 73 NULOROVÝ MODEL INVERTUJÍCÍHO KONVEJORU ICCI A IMPLEMENTACE RODINYTĚCHTO KONVEJORŮ ICC S POUŽITÍM KONVEJORŮ UCC................................................. 125OBR. 74 IMPLEMENTACE STRUKTURY SE DVĚMA VÝSTUPY .................................................... 126OBR. 75 PLOVOUCÍ VSTUP REALIZOVANÝ POMOCÍ TŘÍ KONVEJORŮ CCII ............................... 126OBR. 76 REALIZACE KONVEJORU DVCC V TECHNOLOGII CMOS .......................................... 127OBR. 77 NEINVERTUJÍCÍ KONVEJOR DDCC (DDCC+) ........................................................... 128OBR. 78 POSTUP VÝROBY INVERTORU CMOS........................................................................ 142OBR. 79 POSTUP VÝROBY INVERTORU CMOS – DOKONČENÍ........................................ 143
Page 1 and 2: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
Page 3 and 4: 2 FEKT Vysokého učení technické
Page 5: 4 FEKT Vysokého učení technické
Page 9 and 10: 8 FEKT Vysokého učení technické
Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
Page 57 and 58:
56 FEKT Vysokého učení technick
Page 59 and 60:
Page 61 and 62:
Page 63 and 64:
Page 65 and 66:
Page 67 and 68:
Page 69 and 70:
Page 71 and 72:
Page 73 and 74:
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88:
Page 89 and 90:
Page 91 and 92:
Page 93 and 94:
Page 95 and 96:
Page 97 and 98:
Page 99 and 100:
Page 101 and 102:
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
show all

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ­ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›