SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 55Obr. 21 Porovnání struktury dvou hradel a) bez dummy prvků b) s dummy prvky- MOS tranzistory by měli být rozděleny do bloku menších elementů (jednotkovýchtranzistorů), které jsou zapojeny paralelně. Omezíme tím působení různých procesníchgradientů (na ploše čipu) na vlastnosti tranzistorů.Obr. 22 Správný layout jednoduchého proudového zrcadlaPodíváme–li se znovu na rovnici ( 6.10 ) vidíme, že chyba způsobená neshodou napětíprahového a napětí source je nepřímo úměrná saturačnímu napětí. Tzn., čím větší použijemesaturační napětí, tím menší bude chyba způsobená oběma příspěvky a budeme mít zajištěnuvelkou přesnost zrcadla. Pokud navíc budou tranzistory umístěny v těsné blízkosti, prahovánapětí se budou lišit v jednotkách mV, naopak vzdálené tranzistory budou mít neshoduv prahových napětích velikou. Z tohoto důvodu plyne doporučení, že pokud potřebujemeshodné proudy v částech, které jsou poměrnědaleko od sebe, je vhodnější distribuovatreferenční proud do obou částí zvlášť a zdeprovést lokálně zrcadlení oproti možnostidistribuce napětí V GS pro druhý tranzistor.POZORNapěťový úbytek mezi source terminálytranzistorů zrcadla může způsobitnezanedbatelnou nepřesnost výstupníhoproudu.