SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

40 FEKT Vysokého učení technického v Brněinvertor). V tomto případě je řídící signál připojen na střed polySi vrstvy, která jepoužita při formování hradel obou tranzistorů. Problém může nastat hlavněv případech, kdy jde o velmi široké tranzistory. Na druhou stranu ovšem využitípolySi pro propojování může v těchto případech velmi zjednodušit situaci. Pokudnastane tato varianta (široké tranzistory X zjednodušení propojování) je na uváženínávrháře, které pozitivum či negativum převažuje.7. Minimalizujte počet přechodů signálu mezi různými vrstvami metalů. Kontakt i viamá parazitní odpor, který sám o sobě odpovídá poměrně dlouhému metalu. Z tohotodůvodu může být polySi výhodnější než M1 při propojování hradel MOS tranzistorůna krátké vzdálenosti.8. Přidejte „prst“ pro zvýšení síly tranzistoru, optimalizace routování, sdílení difúzí.Legging je název techniky, která má za úkol rozdělit tranzistor s velkou šířkou kanáluna určité množství paralelně spojených tranzistorů jednotkové šířky, tak abydohromady vytvořili ekvivalent původnímu širokému tranzistoru. V mnohatechnologiích je určena maximální šířka tranzistoru tak, aby byla celá efektivněvyužita pro vedení proudu. Pokud je potřeba vytvořit tranzistor s větší šířkou kanálu(např. buffer pro globální signály vedoucí přes celý čip nebo pro signály vedoucímimo čip) je výhodnější vytvořit tyto velmi široké tranzistory z řady paralelněspojených tranzistorů menších šířek. Příkladem může být třeba tranzistor s šířkou40 µm, který rozdělíme na 4 tranzistory s šířkou kanálu 10 µm – 4 prstová struktura (4hradla). Obr. 7 ukazuje takový tranzistor se 4 hradly. Rozdělení do několika menšíchparalelně spojených tranzistorů může pomoci zjednodušit propojování (routing) azlepšit využití plochy layoutu (layout density). Tvar víceprstového tranzistoru sevětšinou mnohem lépe umísťuje do layoutu než tranzistor s jedním hradlemekvivalentního poměru W/L (víceprstový MOS má tvar čtverce či obdélníku, kdežtoširoký MOS je „nudle“). Další výhodou může být výběr lichého či sudého počtu prstůnebo výběr oblastí drain a source. Představte si situaci, kdy máme tranzistors připojením na VDD a výstup. Ostatní tranzistory připojené na výstup nejsou. Pokudtedy rozdělíme tranzistor na dva prsty s výstupem uprostřed, získáme na krajích MOStranzistoru difúzní oblasti připojené na VDD, které můžeme sdílet s dalšími MOStranzistory v obvodu (úspora místa, minimalizace parazitních kapacit, optimalizaceroutování). Na Obr. 8 můžeme vidět některé chyby při layoutu MOS tranzistoru ajejich nápravu.