SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

More documents

Recommendations

Info

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 49Obr. 15 Metody minimalizace vlivu výrobního procesu pomocí layoutu: a) prokládání prvkůb) středově symetrická topografiePoslední důležitá poznámka k layoutu rezistorů směřuje k minimalizaci substrátovýchšumových signálů. Je vhodné polarizovat substrát kolem celé odporové struktury, tzn.využívat ochranný prstenec z hluboké dotace („guard ring“), Obr. 16.Obr. 16 Layout rezistoru s nakontaktovaným ochranným prstencem
50 FEKT Vysokého učení technického v Brně5.2 KondenzátoryKondenzátory jsou používány v analogových aplikacích jako jsou filtry, kompenzačníobvody apod.. Kapacitor v CMOS technologii je realizován strukturou dvou paralelně (vevelké většině nad sebou) umístěných elektrod. Elektrody by měly být realizovány vodivýmivrstvami, které jsou v dané technologii k dispozici (metal, polySi, difúze). Izolačnídielektrikum mezi elektrodami je většinou z oxidu křemíku (SiO 2 ) nebo polySiO 2 , vzácněz oxidu vzniklého CVD procesem.Kapacitor může být tvořen difúzní oblastí p+ nebo n+ (spodní elektroda) a polySi.Příspěvek kapacity vyniklé přes tlustý oxid je vzhledem ke své velikosti zanedbán (parazitnípříspěvky). Aktivní plocha kondenzátoru je dána přesahem elektrod pře sebe. Jsou oddělenytenkým oxidem. Alternativní implantací spodní elektrody je p+, resp. n+, vrstva uloženáv jámě opačného typu, která opět může být využita k ochraně pře průnikem šumových signálůze substrátu.V ideálním případě by kapacita kondenzátoru měla být nezávislá na nastavenémpracovním bodě. Diody v závěrném směru vykazují vlastnosti kapacitorů, bohužel ale jejichhodnoty jsou silně závislé na pracovních podmínkách (měnící se šířka depletiční vrstvy).Často tak jedinou možností zůstávají struktury MOS tranzistorů, ačkoliv kapacita mezigate/source(drain) trpí řadou problémů, s minimální hodnotou kolem prahového napětí.Nejlepším kandidátem pro výrobu kondenzátoru na čipu je tak struktura PolySi-polySi2.5.2.1 Capacitor CellObr. 17 Kapacitor polySi-polySi2Buňky kapacitoru jsou obsaženy ve většině stadartních knihovnách buňek. Používají seve složitějších systémech jako blokovací kapacitory mezi napájecími cestami (track) VDD aVSS. Tyto kapacitory mají za úkol odstraňovat „digitální“ šum šírící se napájecími přívody doanalogových bloků obsažených na čipu.Největší nevýhodou kapacitorů realizovaných pomocí tenkého oxidu je právě možnostdefektu tenkého hradlového oxidu, hlavně v případech velkých kapacit (plocha).
Page 1 and 2: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
Page 3 and 4: 2 FEKT Vysokého učení technické
Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
Page 49: 48 FEKT Vysokého učení technick
Page 101 and 102:
100 FEKT Vysokého učení technick
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
show all

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ­ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›