SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

48 FEKT Vysokého učení technického v Brně-elementy rezistoru by měli mít pokud možnost stejnou orientaci-používat „dummy“ elementy. Jejich význam tkví v omezení vlivu výrobního procesu našířku aktivních částí rezistoru.Z hlediska efektivnosti ve využití plochy je lepší „serpentine“, ale co se týče lepšíchomezení vlivu výrobního procesu na rezistor, lepších výsledků dosahuje „dog bone“.Víme také, že teplota má velký vliv na rezistivitu difúzních vrstev. Teplotní koeficientmůže být významný; může dosahovat až 0,5-1%/°C. Tato vlastnost může mít velký vliv navýslednou hodnotu rezistoru. Takto velká závislost na teplotě může zapůsobit negativně i narezistory na jednom čipu. Pokud implementovaný obvod obsahuje výkonový prvek, tentovyzařuje teplo a způsobuje teplotní gradient na čipu. Průměrná teplota rezistorů se můžepotom značně odlišovat. Je nutné taképřipomenout, že tepelné vyzařování nenírovnoměrné. Z tohoto důvodu jedoporučováno navrhovat topografiivýkonových součástek jako symetrickou acitlivé části obvodu této situacipřizpůsobit.POZN.Matching a přesnost rezistorů vytvořenýchdifúzními vrstvami je lepší než u polySi. Aleje mnohem jednodušší a i efektivnější chránitpřed šumem odporové struktury vytvořenéz polySiVelmi často je důležitější z hlediska obvodové funkčnosti důležitější matching dvourezistorů (nebo poměrů jejich absolutních hodnot) než jejich absolutní přesnost. Toto platízejména v případech napěťových referencí, D/A nebo A/D převodníků, zesilovačů apod.V tomto případě je potřeba mít pod kontrolou nebo spíše umět vykompenzovat možné typytechnologických gradientů, které mohou tuto shodnost narušit.Jedním ze základních příkladů kompenzace gradientů je využití prokládání prvků(interdigitized layout) nebo středově symetrická topografie (common centroidlayout).Podívejme se na Obr. 15. Dva rezistory (shodná velikost) jsou rozděleny do pětistejně velkých částí pospojovaných mezi sebou metalovou vrstvou. Na obou stranáchvýsledné struktury jsou tzv. dummy prvky (mají za úkol minimalizovat vliv laterálníhopodleptání na krajní elementy rezistorů.