SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

More documents

Recommendations

Info

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 23I D[ A ]0,060,05Kvadratický modelModel s proměnou šířkou depletiční0,040,030,020,0100 1 2 3 4 5V G [V]Graf 3.6: Vliv napětí bulk-source na prahové napětíPrvní čeho si můžeme všimnout je, že posun v prahovém napětí je stejný pro obamodely. Tranzistory pracující při prahovém napětí se dostávají do saturace při nulovém napětídrain-source, takže depletiční vrstva je rovnoměrná v celé délce kanálu. Jakmile se drainsourcenapětí zvýší, proud roste, ale uvidíme rozdílné výsledky obou modelů. Tento rozdíl sesnižuje s velikostí záporného napětí připojeného na bulk – depletiční vrstva se rozšíří, cožpotom redukuje relativní změnu v depletiční vrstvě způsobené zvýšením napětí drain-source.Příklad 3.3:Vypočtěte prahové napětí NMOS tranzistoru za následujících podmínek: VBS = 0, -2.5, -5, -7.5 a -10 V. Substrát kapacitoru má dotaci Na = 10 17 cm -3 , tloušťka oxidu je 20 nm(ε ox = 3.9 ε 0 ) a hliníková elektroda (gate) má potenciál (Φ M = 4.1 V). Předpokládejme, žev oblasti oxidu ani v přechodu oxid-křemík není žádný vázaný náboj.Prahové napětí při VBS = -2.5 V je rovno:VT= VT 0+= −0,09+γ ⎛⎜2ϕF ⎝0,75 ⎛⎜2⋅0,42⎝VSB1+2ϕF⎞−1⎟⎠Body effect parametr jsme získali z:2,5 ⎞1+−1⎟= 0,73V2⋅0,42⎠−14−19172ε SqNa2⋅11,9⋅8,85⋅10⋅1,6⋅10⋅10−12== 0,75−14−7Cox3,9 ⋅8,85⋅1020⋅10γ = VPrahová napětí pro různé napětí substrátu jsou uvedena v následující tabulceV BS -2,5V -5V -7,5V -10VV T 0,73V 1,26V 1,68V 2,04V
24 FEKT Vysokého učení technického v Brně3.4 SPICE model MOSFETuSPICE model MOS tranzistoru obsahuje množství obvodových prvků modelujícíparazitní jevy a některé procesní parametry související s technologií výroby. Syntaxe MOSmodelu obsahuje parametry, které návrhář může kontrolovat.3.4.1 MOSFET syntaxeM + [L=][W=][AD=][AS=]+ [PD=][PS=][NRD=][NRS=]+ [NRG=][NRB=]L délka kanálu, W šířka kanálu, AD plocha drainu, AS plocha sourcePD obvod drainu, PS obvod source.Př.M1 3 2 1 0 NMOS L=1u W=6u.MODEL NFET NMOS (LEVEL=2 L=1u W=1u VTO=-1.44 KP=8.64E-6+ NSUB=1E17 TOX=20n)kde M1 je jeden určitý tranzistor v obvodu, zatímco model tranzistoru NFET používávestavěný model NFET, který specifikuje procesní a technologické parametry MOStranzistoru. Seznam vybraných SPICE parametrů a jejich vztah k diskutovaným parametrůmv textu je ukázán v Tab. 1.Tab. 1: Vybrané SPICE parametry a příslušné rovniceParametr SPICETOXKPVT0GAMMANSUBVFB+ ψ +F= γ =Výpočett oxµC ox2εqNSsCoxCaox2εqNN d ; N aU0 µLAMBDAVMAXλv sata( 2ψ)F
Page 1 and 2: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
Page 3 and 4: 2 FEKT Vysokého učení technické
Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
Page 23: 22 FEKT Vysokého učení technick
Page 75 and 76:
74 FEKT Vysokého učení technick
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88:
Page 89 and 90:
Page 91 and 92:
Page 93 and 94:
Page 95 and 96:
Page 97 and 98:
Page 99 and 100:
Page 101 and 102:
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
show all

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ­ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›