SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 35napájecího napětí týče kompatibilní s technologiemi staršími. Nevýhodou této metody jezvýšení intenzity elektrického pole v kanálu při zmenšování minimální délky kanálu. Z tohotovyplývají výše popsané negativní jevy, jako jsou saturace rychlosti nosičů (velocitysaturation), degradace jejich pohyblivosti, zvětšený zbytkový proud (leakage) a sníženíprůrazného napětí oxidu hradla.Škálování MOS tranzistorů je ukázáno v Tab. 4 kde jsou porovnány obě zmíněnémetody a navíc ještě metoda „constant voltage“ zahrnující konstantní saturaci rychlosti.3.7 Kontrolní otázky1. Vysvětlete pojem minoritní nosič.2. Nakreslete vstupně-výstupní charakteristiku NMOS tranzistoru.3. Nakreslete v řezu strukturu NMOS tranzistoru (včetně správného tvaru kanálu) vlineárním režimu. Podmínky pro lineární režim.4. Nakreslete v řezu strukturu NMOS tranzistoru (včetně správného tvaru kanálu) vsaturačním režimu. Podmínky pro saturační režim.5. Napište Rrovnici pro proud MOS tranzistorem v saturaci. Jak se projevuje efektmodulace délky kanálu na výstupní charakteristice MOS tranzistrou?6. Poznáte co je na následujícím obrázku. za struktury?