SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 45Nejpoužívanějším typem rezistoru v CMOS technologiích je Poly-Si rezistor. Je to typ,který nejefektivněji využívá plochy. Rezistivita mezi body A a B je uváděna nejčastěji vjednotkách ohm/sq (ohm per square). Běžná hodnota polySi je kolem 10 ohm/sq, ale můžemedosáhnout až 200 ohm/sq pokud odstraníme vrstvu vzniklou salicidací.V řezu strukturou rezistoru na Obr. 11je vidět, že materiál (směs Si a metalu,salicidace) použitý ke zlepšení vodivosti je nanášen na povrch polySi a vytváří vodivou cestu,která snižuje celkový odpor struktury. Poznamenejme, že díky použití mělké trench izolaceoxidové vrstvičky, které odděluje PolySi rezistor od substrátu a ostatních vodivých míst,umožňuje použít poměrně vysokých polarizačních napětí (10V až 100V!). Bohužel je oxidvelmi špatným vodičem tepla, což limituje ztrátový výkon a jeho odvod ve formě tepelnéhovyzařování.Obr. 11 Řez strukturou polySi rezistorůPoužijeme-li strukturu využívající polySi můžeme lépe čelit problémům s odstíněním.PolySi není “potopena” přímo v substrátu a tak jsou I tyto parazitní kapacity mnohem menšínež v případě rezistoru vytvořeného pomocí difúze. Ke stínění je možno využít jámu (vhodně