SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

80 FEKT Vysokého učení technického v BrněProud děličem nesmí přesáhnout 42 µA zvolíme 30 µASamozřejmě čím menší bude proud děličem tím menší budou výkonové ztráty. Problém svelmi malým proudem se však může ukázat ve chvíli, kdy nám rozměry MOS tranzistorůděliče vyjdou příliš malé na to, aby se dali slušně realizovat v layoutu. (toto hrozí hlavně vpřípadě kdy je rozdíl V GS -V TH větší).[2] Určení délky kanálu MOS tranzistorůzvolíme L=5*L min =0,6µmPlatí také L 1 =L 2 =L[3] Výpočet RR=(VDD-V out )/I in =(1,2-0,6)/30E-6=20kΩZkontrolujte zda je hodnota odporu realizovatelná na čipu. Pokud by hodnota byla přílišvysoká, je třeba v každém případě R PMOS tranzistorem. Tzn. zvolit dělič MOS-MOS[4] Určení šířky kanálů M1 aM2W 1 =2*L*I BIAS /KP n (V GS1 -V THn ) 2 =2*0,6E-6*30E-6/(1,0E-3(0,6-0,4) 2 )= XXXµmW 2 =2*L*I BIAS /KP p (V GS2 -V THp ) 2 =2*0,6E-6*30E-6/(0,35E-3(-0,6 - - 0,45 2 )= XXXµmOpět je potřeba se nad výsledkem zamyslet. Pokud jsou výsledné velikosti tranzsitorůpříliš velké, je možné zvětšit V GS nebo zmenšit délku kanálu L MOS traznistorů.V opačném případě (příliš malé rozměry problémy při matchingu v layoutu) VGSzmenšujeme.nebo prodloužíme délku kanálu.