SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

More documents

Recommendations

Info

Návrh analogových integrovaných obvodů (BNAO) 21s využitímaVφFBMS= φMSQ−Cfox1−Coxtox∫0xxoxρox( x)dx⎛ Eg⎞= φM−φS= φM−⎜ χ + + ϕF⎟⎝ 2q⎠( 3.29 )( 3.30 )NdϕF= Vtln , n − substrát( 3.31 )niPrahové napětí PMOS tranzistoru s ntyp substrátem dostaneme z následující rovniceVT= VFBkde flatband napětí V FB je dánosaVφFBMS+ 2 ϕ += φMSFQ−Cfox2εqNS1−Coxtox∫0axx( 2ϕ+ V )CoxρoxoxF( x)dx⎛ Eg⎞= φM−φS= φM−⎜ χ + + ϕF⎟⎝ 2q⎠SB( 3.32 )( 3.33 )( 3.34 )NdϕF= Vtln , n − substrát( 3.35 )niPrahové napětí závisí na hustotě dotace a toto je na Graf 3.5‚ (pro NMOS i PMOSs hliníkovým hradlem)
22 FEKT Vysokého učení technického v BrněPrahové napětí [V]432NMOS10-1-2-3PMOS-4-51,E+14 1,E+15 1,E+16 1,E+17 1,E+18Dotace [cm -3 ]Graf 3.5: Hustota dotace pro nMOS i pMOS s hliníkovým hradlemPrahová napětí obou typů tranzistorů jsou v případě nízkých koncentrací dotací lehcezáporné, a jejich rozdíl je roven 4 násobku absolutní hodnoty potenciálu substrátu (bulk).Prahové napětí NMOS tranzistoru roste se zvyšující se úrovní dotace, v případě PMOStranzistoru je trend opačný (klesá). Změna flatband napětí v důsledku náboje oxidu způsobísnížení prahového napětí, pokud tento náboj bude kladný, a zvýšení v případě zápornéhonáboje.3.3.2 Předpětí substrátu („substrate bias effect“)Napětí připojené k substrátu působí na prahové napětí tranzistoru. Potenciál mezisource a bulk, V BS , mění šířku depletiční vrstvy a tím také mění napětí na oxidu (díky změnámnáboje v depletiční vrstvě). Pokud budeme tyto změny uvažovat, dostaneme upravenourovnici pro prahové napětíVT= VFB+ 2 ϕ +F2εqNSa( 2ϕ+ V )Změnu prahového napětí vlivem napětí source-bulk můžeme vyjádřitTCox( 2ϕ+ V − ϕ )Kde γ je body efekt parametr, který lze vyjádřitFSBFFSB( 3.36 )∆ V = γ 2( 3.37 )γ2εqNS a= ( 3.38 )CZměna prahového napětí při změnách napětí bulk-source jsou vidět v grafu.Předpokládané charakteristiky jsou znázorněny pro kvadratický model a model s proměnnoudepletiční vrstvou.ox
Page 1 and 2: Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.Ing. Ji
Page 3 and 4: 2 FEKT Vysokého učení technické
Page 11 and 12: 10 FEKT Vysokého učení technick
Page 21: 20 FEKT Vysokého učení technick
Page 73 and 74:
72 FEKT Vysokého učení technick
Page 75 and 76:
Page 77 and 78:
Page 79 and 80:
Page 81 and 82:
Page 83 and 84:
Page 85 and 86:
Page 87 and 88:
Page 89 and 90:
Page 91 and 92:
Page 93 and 94:
Page 95 and 96:
Page 97 and 98:
Page 99 and 100:
Page 101 and 102:
Page 103 and 104:
Page 105 and 106:
Page 107 and 108:
Page 109 and 110:
Page 111 and 112:
Page 113 and 114:
Page 115 and 116:
Page 117 and 118:
Page 119 and 120:
Page 121 and 122:
Page 123 and 124:
Page 125 and 126:
Page 127 and 128:
Page 129 and 130:
Page 131 and 132:
Page 133 and 134:
Page 135 and 136:
Page 137 and 138:
Page 139 and 140:
Page 141 and 142:
Page 143 and 144:
Page 145 and 146:
Page 147 and 148:
Page 149 and 150:
Page 151 and 152:
show all

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ­ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

SP - UMEL - VysokÃƒÂ© uÃ„ÂenÃƒÂ technickÃƒÂ© v BrnÃ„Â›