SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

44 FEKT Vysokého učení technického v Brně5 Pasivní prvky5.1 RezistorObecně je rezistor tvořen vrstvou (obdélníkem či proužkem) rezistivního materiálu,který je na svých koncích kontaktován s vrstvou metal 1. Samotné tělo rezistoru je elektrickyizolováno od substrátu (podložky) pomocí oxidové vrstvy nebo polovodičovým přechodem vzávěrném směru. Pokud zavedeme jako parametr tzv. čtvercový odpor (či odpor na čtverec)R□ pak celkový odpor rezistoru bude určen pomocí rovniceLR = 2 Rcons + R( 5.1 )Wkde R const je odpor čtverce s kontaktem na metalovou vrstvu a odpor kontaktu. Odporkontaktu závisí na specifikacích dané technologie a pohybuje se mezi 10Ω - 50 Ω.Prvním typem rezistoru používaným v CMOS technologii je rezistor tvořený difúzníoblastí (N+ nebo P+ diff). Zajímavou vlastností těchto rezistorů je využití kombinacepoměrně slušné rezistivity (několik desítek ohm/sq; není problém dosáhnout jednotek kΩ; tennastává pokud potřebuje stovky kΩ či dokonce MΩ) dané oblasti a polovodičového přechodu,který díky této rezistorové struktuře vzniká.Obr. 9 Rezistor tvořený difúzní oblastí N+Struktura má ovšem i další možnosti. Představme si situaci, kdy napětí V1 je menší než0V, a v tomto případě je dioda tvořená Psub/N+diff polarizována v proputném směru a“vstupní signál” je sveden do země. Tato struktura je využívána ve vstupně/výstupníchochranných obvodech integrovaných obvodů.Obr. 10 Dvě realizace polySi rezistoru a) se salicidní vrstvou b) bez ní