SP - UMEL - Vysoké učení technické v Brně

146 FEKT Vysokého učení technického v Brněoxidu při žíhání na 1 000 °C v prostředí N 2 . Důvodem je možnost přerušování úzkýchmetalizačních propojek na nezaoblených hranách.Dále v technologickém procesu následuje metalizace, tj. vytvoření vodivých spojenímezi prvky navzájem i k vnějšímu napájení. Nejdříve je třeba tzv. oživit povrch křemíkupředdepozicí titanu a hliníku při kterém je odstraněn přirozený oxid, který se při expozici Sidesek v atmosféře s O 2 vždy vytvoří již po několika minutách. Oba kovy jsou deponoványnaprašováním v tloušťkách 100 nm (Ti) a 900 nm (Al). Vlastní propojení je realizováno 10.maskou, po které je odleptán hliník a titan (Obr. 78.17). Následuje slévání metalizačníchvrstev a kontrolní měření na zkušebních strukturách.Závěrečná fáze technologického procesu je v podstatě tvořena depozicí pasivační vrstvy(obvykle se používá VAPOX, ale zde je použit nitrid), funkčním prověřením obvodů(hrotovým testerem) a jejich tříděním. Po depozici je samozřejmě potřebné vymaskovat 11.maskou okna do ochranné nitridové vrstvy pro kontaktování čipu (tzv. pady). Následujeoperace řezání, kontaktování, pouzdření a zahořování, které již jsou běžnou součástí každéhovýrobního procesu IO.Každá operace předchozího výčtu má přesně definované podmínky, které jsou uvedenyv Tab. 5. Součástí předpisu v praxi (v továrně) musí rovněž být i zařízení, na kterém jeoperace prováděna, a musí být vymezeny tolerance parametrů charakteristických pro danouoperaci. U některých rozhodujících operací se vkládají do zpracovávaného oběžníku zvláštnítestovací desky, které slouží k mezioperační kontrole.Tab. 5:01Technologický postup výroby obvodu s technologií HCMOS IMP-ZOZaložení oběžníku (desky 1-25), 9203020304050606070809101112131415X1516OXI-0MP-UPSMO-GSIOXI-MSMASKIMMASKIAMIMP-JMP-1BHMP-1BOXD-JHMP-UCPMP-GS2OXI-KMP-GS3DEP-NIDEPHTOMP-CNNultá oxidace, 650 nm (1080/10´WET + HCL + 50´WET,1080--1040/30´02, 1040/30´02 + 20´N 2 )Sleptání nultého oxidu (7 : 1)Hradlové mytí (před depozicí oxidu)Maskovací oxidace (1040/100´02 + 1,6 % HCL + 5´N 2 ) (150 nm)1. maska (jáma, kontrola tloušťky rezistu 1,2 µm) desky č. 1-121. maska (jáma, kontrola tloušťky rezistu 1,2 µm) desky č. 13-24Implantace jámy (1.4E13/100 keV/B)Leptání 1. maskyOdstranění 1. masky (5´+ 5´, H 2 SO 4 + H 2 O 2 )Žíhání imp. jámy (1200/135´0,2 + 1200/280´N 2 ) (6,4 µm)Leptání oxidu po celé ploše (7 : 1)Hradlové mytí (SC1 + DA + SC2)Krycí oxidace (1040/40´02 + 1,6 % HCL + 20´N 2 ) (70 nm)Hradlové mytí (5´, H 2 SO 4 + H 2 O 2 )Depozice LPCVD nitridu (120 nm)Depozice oxidu HTO (400 nm)Čištění povrchu (scrubber + H 2 SO 4 + H 2 O 2 )